Aileron CVD SiC

À mesure que les dispositifs à semi-conducteurs continuent d'évoluer vers des géométries plus petites et des niveaux d'intégration plus élevés, les équipements de traitement doivent fonctionner dans des conditions de plus en plus exigeantes. La gravure au plasma, les dépôts avancés et les environnements de fabrication à haute température exposent les composants de la chambre à des contraintes thermiques extrêmes, à des gaz réactifs agressifs et à un bombardement ionique à haute énergie.

Pour relever ces défis, Semicorex propose CVD SiC Fin, un composant en carbure de silicium solide haute densité fabriqué grâce à la technologie avancée de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Contrairement aux revêtements en couches minces SiC conventionnels qui ne mesurent généralement que quelques dizaines ou centaines de microns, le CVD SiC Fin est une structure de carbure de silicium sensiblement plus épaisse et entièrement dense avec des épaisseurs allant de 500 μm à 10 000 μm.

Cette construction unique permet une durabilité supérieure, une durée de vie plus longue et des performances exceptionnelles dans certains des environnements de traitement des semi-conducteurs les plus exigeants.

Qu'est-ce qui différencie les ailerons CVD SiC ?

De nombreux composants semi-conducteurs reposent sur des revêtements de graphite ou de SiC en couches minces recouverts de SiC pour leur protection. Bien que ces solutions fonctionnent bien dans des conditions de processus modérées, une exposition grave au plasma et des cycles de fonctionnement prolongés nécessitent souvent un système de matériaux plus robuste.

CVD SiC Fin est fabriqué sous la forme d'un corps épais en carbure de silicium de haute pureté plutôt que d'un simple revêtement de surface. La structure résultante fournit :

Épaisseur du matériau nettement plus grande

Intégrité structurelle supérieure

Résistance supérieure à l’érosion plasma

Durée de vie opérationnelle plus longue

Stabilité dimensionnelle améliorée

Risque de contamination réduit

La complexité de fabrication des épaisseursComposants CVD SiCest nettement supérieur à celui des produits à couches minces standards, en particulier lors de la production de géométries complexes et de caractéristiques de précision.

Structure SiC dense de haute pureté

Le processus de dépôt CVD produit un matériau en carbure de silicium exceptionnellement dense et uniforme avec une porosité minimale et une pureté exceptionnelle.

Les principales caractéristiques matérielles comprennent :

• Composition SiC de très haute pureté
• Haute densité et faible porosité
• Excellente inertie chimique
• Stabilité thermique exceptionnelle
• Résistance supérieure à la corrosion
• Génération de particules extrêmement faible

Ces propriétés sont essentielles pour les environnements de fabrication de semi-conducteurs où la contamination des processus peut affecter directement les performances des dispositifs et le rendement de production.

Performances exceptionnelles dans les environnements plasma

Les procédés de gravure modernes génèrent des espèces de plasma hautement réactives, capables d'attaquer les matériaux conventionnels au fil du temps. Les composants exposés au plasma doivent résister à un bombardement continu tout en conservant la précision dimensionnelle et l'intégrité de la surface.

CVD SiCFin offre une résistance exceptionnelle à :

Chimie des plasmas à base de fluor

Environnements de gravure à base de chlore

Bombardement ionique

Corrosion chimique

Cyclisme thermique

Sa microstructure dense réduit considérablement la dégradation des matériaux et aide à maintenir des conditions de processus stables tout au long des cycles de production prolongés.

Cela rend ce matériau particulièrement précieux dans la fabrication avancée de circuits intégrés, où la répétabilité des processus et la disponibilité des équipements sont essentielles.

Conçu pour les applications à très haute température

En plus de la résistance au plasma, le CVD SiC Fin se comporte exceptionnellement bien dans des conditions thermiques extrêmes.

Le carbure de silicium est connu pour sa capacité à conserver sa résistance mécanique et sa stabilité dimensionnelle à des températures qui défieraient de nombreux matériaux techniques conventionnels.

Les avantages incluent :

• Excellente résistance aux chocs thermiques
• Faible dilatation thermique
• Stabilité mécanique à haute température
• Résistance à la déformation thermique
• Fiabilité à long terme dans des environnements difficiles

Semicorex possède l'expertise technique requise pour fabriquer des composants CVD SiC dans une large gamme de géométries, notamment :

• Palmes
• Anneaux
  
• Boucliers
• Composants de mise au point
• Éléments de distribution de gaz
• Revêtements de chambre
• Pièces personnalisées face au plasma

Applications dans la fabrication de semi-conducteurs

Les composants CVD SiC Fin sont largement utilisés dans les équipements de fabrication de semi-conducteurs, en particulier dans les zones exposées à des conditions de processus agressives.

Les applications typiques incluent :

Systèmes de gravure plasma

Chambres de gravure sèche

Équipement de dépôt de semi-conducteurs

Fabrication de dispositifs logiques avancés

Production de dispositifs de mémoire

Traitement des semi-conducteurs de puissance

Fabrication de semi-conducteurs composés