Suscepteurs en graphite à revêtement SiC Aixtron 1x4"

La croissance épitaxiale des plaquettes est réalisée via MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition). Des gaz ultra-purs dosés avec précision sont délivrés dans la chambre de réaction ; à haute température, des réactions chimiques se produisent, permettant à des films atomiques minces de se déposer sur des substrats de tranches et de construire des structures épitaxiales semi-conductrices composées. En tant que pièces centrales irremplaçables des systèmes MOCVD, les performances des suscepteurs en graphite recouverts de SiC exercent un impact décisif sur la vitesse de croissance de l’épitaxie et la qualité de la tranche finie.

Semicorex adopte du graphite isostatique de haute pureté comme matériaux de base des suscepteurs en graphite à revêtement SiC Aixtron 1x4" et applique un revêtement protecteur dense en carbure de silicium sur leur surface, ce qui en fait des options idéales pour les environnements de processus épitaxiaux exigeants.

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Bases en graphite isostatique de haute qualité

Les suscepteurs en graphite à revêtement SiC Aixtron 1x4" sont fabriqués avec précision à partir de graphite isostatique de qualité semi-conducteur. Bénéficiant d'une granulométrie fine et de propriétés internes uniformes, ce matériau en graphite offre les excellentes performances suivantes, permettant à Aixtron 1x4"Suscepteur en graphite revêtu de SiCs pour fournir un support stable et une base chauffante pendant les processus d'épitaxie de tranches.

1. Pureté des matériaux ultra élevée

2. Résistance robuste aux chocs thermiques

3.  Résistance exceptionnelle aux hautes températures

4.  Stabilité chimique fiable

5. Conductivité thermique supérieure

6. Propriétés isotropes et performances constantes dans toutes les directions

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Revêtement CVD SIC dense

Afin d'éviter la contamination de la chambre de réaction par des produits non revêtusgraphitebases et prolonge la durée de vie des suscepteurs de tranches, Semicorex adopte la technologie de dépôt chimique en phase vapeur pour recouvrir un revêtement protecteur SiC uniforme sur la surface de base, offrant les performances supérieures répertoriées ci-dessous :

1. Résistance améliorée à la corrosion

Le denseRevêtement CVD-SiCde suscepteurs en graphite revêtus de SiC Aixtron 1x4" agissent comme une barrière protectrice, ce qui peut empêcher la base de graphite de se corroder dans des conditions épitaxiales rigoureuses.

2. Forte liaison interfaciale

Le revêtement CVD SiC est étroitement lié à la base en graphite et ne se fissurera pas ou ne se décollera pas facilement, même sous des cycles thermiques répétés pendant le processus d'épitaxie.

3. Durée de vie prolongée

Les revêtements CVD SiC peuvent protéger la base en graphite de la pulvérisation et de la corrosion pendant la croissance épitaxiale, prolongeant ainsi considérablement la durée de vie des suscepteurs en graphite revêtus de SiC Aixtron 1x4".

Service attentionné et livraison rapide

Semicorex dispose d'une équipe bien expérimentée, prête à traiter rapidement les demandes des clients et à offrir un support technique professionnel. S'appuyant sur nos flux de fabrication intégrés, Semicorex offre un délai de production efficace des suscepteurs en graphite à revêtement SiC Aixtron 1x4", généralement dans les 45 à 60 jours, ce qui réduit efficacement la période d'attente des clients et le calendrier du projet.