Supports de plaquettes en graphite revêtus de SiC

Dans la fabrication de tranches semi-conductrices, une couche eptaxiale doit être développée sur le substrat de la tranche afin que les dispositifs semi-conducteurs puissent être fabriqués lors des étapes suivantes. En tant que composant consommable indispensable dans le processus d'épitaxie des tranches qui entre directement en contact avec le substrat de la tranche, les performances des supports de tranches en graphite revêtus de SiC exercent un impact significatif sur l'uniformité et la pureté de la croissance du matériau épitaxial. Pour cette raison, il est crucial que les utilisateurs choisissent un support de plaquette de graphite à revêtement SiC optimal.

Adopter du graphite de haute pureté pour fabriquer la base des supports de plaquettes et utiliser un uniformeRevêtement CVD-SiCPour doter le support de tranche d'une « armure protectrice », Semicorex s'engage à proposer un support de tranche en graphite recouvert de SiC de haute qualité, capable de fournir un support structurel fiable pour les substrats de tranche dans les processus épitaxiaux difficiles, garantissant ainsi une croissance stable et fiable des matériaux épitaxiaux.

1. Base en graphite de qualité supérieure

A. La base en graphite a une conductivité thermique supérieure, ce qui permet une distribution rapide et uniforme de la chaleur pendant les processus épitaxiaux.

B. Doté d'un coefficient de dilatation thermique relativement faible, la base en graphite peut garantir notreSupports de tranches de graphite revêtus de SiCrésister à des cycles thermiques fréquents sans se déformer facilement.

C. Les matériaux graphite offrent une excellente résistance mécanique, de sorte que nos supports de tranches en graphite recouverts de SiC sont capables de soutenir en toute sécurité les substrats de tranches lors d'applications d'épitaxie à long terme.

2. Revêtement CVD SiC fiable

A. Ultra-haute propreté

La pureté du revêtement CVD SiC peut atteindre le niveau ppb, ce qui minimise la contamination entre le support de tranche et le substrat de tranche, satisfaisant ainsi pleinement les exigences strictes de propreté de l'industrie des semi-conducteurs.

B. Protection fiable

Le revêtement CVD SiC présente une structure dense et est capable d'isoler complètement la base de graphite des environnements à haute température et hautement corrosifs et d'inhiber efficacement la corrosion chimique et l'oxydation de la base de graphite, garantissant ainsi le fonctionnement fiable de notre support de tranche de graphite recouvert de SiC en service à long terme.

C. Forte force de liaison

Le revêtement CVD SiC offre une conductivité thermique exceptionnelle et une dilatation thermique similaire à celle de la base en graphite. Il présente une forte force de liaison avec la base en graphite et est moins sujet aux fissures ou au pelage, même en cas de changements brusques de température.