Crucible enduit de TAC dans la croissance des cristaux SIC

Au cours des dernières années,Tac enduitLes creusets sont devenus une solution technique importante en tant que vaisseaux de réaction dans le processus de croissance des cristaux de carbure de silicium (SIC). Les matériaux TAC sont devenus des matériaux clés dans le domaine de la croissance des cristaux de carbure de silicium en raison de leur excellente résistance à la corrosion chimique et de leur stabilité à haute température. Par rapport aux creusets de graphite traditionnels, les creusets enduits de TAC fournissent un environnement de croissance plus stable, réduisent l'impact de la corrosion du graphite, prolongent la durée de vie du creuset et évitent efficacement le phénomène de l'engagement du carbone, réduisant ainsi la densité des microtubes.

 Fig.1 Croissance des cristaux SIC

Avantages et analyse expérimentale des creusets enduits de TAC

Dans cette étude, nous avons comparé la croissance des cristaux de carbure de silicium en utilisant des creusets en graphite traditionnels et des creusets en graphite recouverts de TAC. Les résultats ont montré que les creusets enduits de TAC améliorent considérablement la qualité des cristaux.

Fig.2 Image OM du lingot SIC cultivé par la méthode Pvt

La figure 2 illustre que les cristaux de carbure de silicium cultivés dans des creusets de graphite traditionnels affichent une interface concave, tandis que ceux cultivés dans des creusets enduits de TAC présentent une interface convexe. De plus, comme le montre la figure 3, le phénomène polycristallin de bord est prononcé dans les cristaux cultivés en utilisant des creusets de graphite traditionnels, tandis que l'utilisation de creusets enduits de TAC atténue efficacement ce problème.

L'analyse indique que leRevêtement TACaugmente la température au bord du creuset, réduisant ainsi le taux de croissance des cristaux dans cette zone. De plus, le revêtement TAC empêche le contact direct entre la paroi latérale du graphite et le cristal, ce qui aide à atténuer la nucléation. Ces facteurs réduisent collectivement la probabilité que la polycristalnité se produise sur les bords du cristal.

Fig.3 OM Images de plaquettes à différents stades de croissance

De plus, les cristaux en carbure de silicium cultivés enEnduit de tacLes creusets ne présentaient presque aucune encapsulation en carbone, une cause commune de défauts de micropytes. En conséquence, ces cristaux démontrent une réduction significative de la densité des défauts de micropytes. Les résultats des tests de corrosion présentés dans la figure 4 confirment que les cristaux cultivés dans des creusets enduits de TAC n'ont pratiquement aucun défaut micrope.

Fig.4 Image OM après la gravure KOH

Amélioration de la qualité des cristaux et du contrôle des impuretés

Grâce à des tests GDMS et à la salle des cristaux, l'étude a révélé que la teneur en TA dans le cristal a légèrement augmenté lorsque des creusets enrobés de TAC étaient utilisés, mais le revêtement TAC a considérablement limité l'entrée de l'azote (N) dopant dans le cristal. En résumé, les creusets enduits de TAC peuvent cultiver des cristaux de carbure de silicium avec une meilleure qualité, en particulier pour réduire la densité des défauts (en particulier les microtubes et l'encapsulation du carbone) et contrôler la concentration de dopage d'azote.

Semicorex propose de haute qualitéCrucible en graphite enduit de tacpour la croissance des cristaux SIC. Si vous avez des demandes ou avez besoin de détails supplémentaires, n'hésitez pas à nous contacter.

Téléphone de contact # + 86-13567891907

Courriel: sales@semicoorex.com