Vous pouvez être assuré d'acheter ICP Etching Carrier dans notre usine et nous vous offrirons le meilleur service après-vente et une livraison rapide. Le suscepteur de plaquette Semicorex est constitué de graphite revêtu de carbure de silicium utilisant le procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Ce matériau possède des propriétés uniques, notamment une résistance élevée aux températures et aux produits chimiques, une excellente résistance à l'usure, une conductivité thermique élevée et une résistance et une rigidité élevées. Ces propriétés en font un matériau attrayant pour diverses applications à haute température, y compris les systèmes de gravure par plasma à couplage inductif (ICP).
Nous fournissons un service personnalisé, vous aidons à innover avec des composants qui durent plus longtemps, à réduire les temps de cycle et à améliorer les rendements.
Le composant ICP revêtu de SiC de Semicorex est conçu spécifiquement pour les processus de manipulation de plaquettes à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Avec un revêtement en cristal SiC fin, nos supports offrent une résistance à la chaleur supérieure, une uniformité thermique uniforme et une résistance chimique durable.
En savoir plusenvoyer une demandeLorsqu'il s'agit de processus de manipulation de plaquettes tels que l'épitaxie et le MOCVD, le revêtement SiC haute température de Semicorex pour les chambres de gravure au plasma est le premier choix. Nos supports offrent une résistance à la chaleur supérieure, une uniformité thermique uniforme et une résistance chimique durable grâce à notre revêtement en cristal SiC fin.
En savoir plusenvoyer une demandeLe plateau de gravure au plasma ICP de Semicorex est conçu spécifiquement pour les processus de manipulation de plaquettes à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Avec une résistance à l'oxydation stable et à haute température jusqu'à 1600°C, nos supports fournissent des profils thermiques uniformes, des schémas d'écoulement de gaz laminaire et empêchent la contamination ou la diffusion des impuretés.
En savoir plusenvoyer une demandeLe support revêtu de SiC de Semicorex pour le système de gravure au plasma ICP est une solution fiable et économique pour les processus de manipulation de tranches à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Nos supports sont dotés d'un revêtement en cristal SiC fin qui offre une résistance à la chaleur supérieure, une uniformité thermique uniforme et une résistance chimique durable.
En savoir plusenvoyer une demandeLe suscepteur revêtu de carbure de silicium de Semicorex pour plasma à couplage inductif (ICP) est conçu spécifiquement pour les processus de manipulation de plaquettes à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Avec une résistance stable à l'oxydation à haute température jusqu'à 1600°C, nos supports assurent des profils thermiques uniformes, des schémas d'écoulement de gaz laminaire et empêchent la contamination ou la diffusion des impuretés.
En savoir plusenvoyer une demandeLe support de plaquette de gravure ICP de Semicorex est la solution parfaite pour les processus de manipulation de plaquettes à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Avec une résistance stable à l'oxydation à haute température jusqu'à 1600°C, nos supports garantissent des profils thermiques uniformes, des modèles d'écoulement de gaz laminaire et empêchent la contamination ou la diffusion des impuretés.
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