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Le graphite de revêtement TaC est créé en recouvrant la surface d'un substrat en graphite de haute pureté d'une fine couche de carbure de tantale par un procédé exclusif de dépôt chimique en phase vapeur (CVD).



Le carbure de tantale (TaC) est un composé composé de tantale et de carbone. Il possède une conductivité électrique métallique et un point de fusion exceptionnellement élevé, ce qui en fait un matériau céramique réfractaire connu pour sa solidité, sa dureté et sa résistance à la chaleur et à l'usure. Le point de fusion des carbures de tantale culmine à environ 3 880 °C en fonction de la pureté et possède l'un des points de fusion les plus élevés parmi les composés binaires. Cela en fait une alternative intéressante lorsque les exigences de température plus élevées dépassent les capacités de performance utilisées dans les processus épitaxiaux de semi-conducteurs composés tels que MOCVD et LPE.


Données matérielles du revêtement Semicorex TaC

Projets

Paramètres

Densité

14,3 (g/cm³)

Émissivité

0.3

ETC (×10-6/K)

6.3

Dureté (HK)

2000

Résistance (Ohm-cm)

1×10-5

Stabilité thermique

<2500℃

Changement de dimension du graphite

-10 ~ -20um (valeur de référence)

Épaisseur du revêtement

Valeur typique ≥20um (35um ± 10um)



Les valeurs ci-dessus sont typiques




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Anneau de guidage

Anneau de guidage

Le cycle de guidage semicoréx avec un revêtement en carbure de Tantalum CVD est un composant hautement fiable et avancé pour les fours de croissance monocristalline SIC. Ses propriétés de matériaux supérieures, sa durabilité et ses conceptions de précision de précision en font une partie essentielle du processus de croissance des cristaux. En choisissant notre anneau de guidage de haute qualité, les fabricants peuvent obtenir une stabilité de processus améliorée, des taux de rendement plus élevés et une qualité de cristal SIC supérieure. *

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CVD Coat Waffer

CVD Coat Waffer

Le portefeuille de revêtement de CVD semicorex est un composant haute performance avec un revêtement en carbure de tantale, conçu pour la précision et la durabilité dans les processus d'épitaxie semi-conducteurs. Choisissez Semicorex pour des solutions fiables et avancées qui améliorent votre efficacité de production et assurez-vous une qualité supérieure dans chaque application. *

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TAC SOBATING Half-lune Part

TAC SOBATING Half-lune Part

La pièce demi-lune du revêtement Semicorex TAC est un composant haute performance conçu pour une utilisation dans les processus épitaxy SIC dans les fours épitaxy LPE. Choisissez Semicorex pour une qualité inégalée, une ingénierie de précision et un engagement à faire progresser l'excellence de la fabrication de semi-conducteurs. *

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Pièce demi-lune pour LPE

Pièce demi-lune pour LPE

Semicorex Halfmoon Part for LPE est un composant en graphite recouvert de TaC conçu pour être utilisé dans les réacteurs LPE, jouant un rôle essentiel dans les processus d'épitaxie SiC. Choisissez Semicorex pour ses composants durables de haute qualité qui garantissent des performances et une fiabilité optimales dans les environnements exigeants de fabrication de semi-conducteurs.*

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Plaque TaC

Plaque TaC

La plaque Semicorex TaC est un composant en graphite haute performance à revêtement TaC conçu pour être utilisé dans les processus de croissance par épitaxie SiC. Choisissez Semicorex pour son expertise dans la fabrication de matériaux fiables et de haute qualité qui optimisent les performances et la longévité de vos équipements de production de semi-conducteurs.*

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Pièce en graphite revêtue de TaC

Pièce en graphite revêtue de TaC

La pièce en graphite à revêtement Semicorex TaC est un composant haute performance conçu pour être utilisé dans les processus de croissance de cristaux SiC et d'épitaxie, doté d'un revêtement durable en carbure de tantale qui améliore la stabilité thermique et la résistance chimique. Choisissez Semicorex pour nos solutions innovantes, la qualité supérieure de nos produits et notre expertise dans la fourniture de composants fiables et durables adaptés pour répondre aux besoins exigeants de l'industrie des semi-conducteurs.*

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