Lorsque les ingénieurs et les équipes d’approvisionnement recherchent des composants capables de survivre à des conditions de processus difficiles, le véritable problème est rarement un mode de défaillance unique.
En savoir plusLa technologie du procédé SiC de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est essentielle pour la fabrication de composants électroniques de puissance hautes performances, permettant la croissance épitaxiale précise de couches de carbure de silicium de haute pureté sur des tranches de substrat. En tiran......
En savoir plusDans le procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), les gaz utilisés comprennent principalement des gaz réactifs et des gaz vecteurs. Les gaz réactifs fournissent des atomes ou des molécules pour le matériau déposé, tandis que les gaz vecteurs sont utilisés pour diluer et contrôler l'environnem......
En savoir plusDifférents scénarios d'application ont des exigences de performances variables pour les produits en graphite, ce qui fait de la sélection précise des matériaux une étape essentielle dans l'application des produits en graphite. Le choix de composants en graphite dont les performances correspondent au......
En savoir plusAvant d'aborder la technologie du procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) au carbure de silicium (Sic), passons d'abord en revue quelques connaissances de base sur le « dépôt chimique en phase vapeur ». Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est une technique couramment utilisée pour pré......
En savoir plusLe champ thermique de croissance monocristalline est la distribution spatiale de la température dans le four à haute température pendant le processus de croissance monocristalline, qui affecte directement la qualité, le taux de croissance et le taux de formation de cristaux du monocristal. Le champ ......
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