La plaque centrale en graphite Semicorex ou suscepteur MOCVD est du carbure de silicium de haute pureté recouvert par la méthode de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), utilisant dans le processus la croissance de la couche épitaxiale sur la puce de la tranche. Le suscepteur revêtu de SiC est un élément essentiel du MOCVD, il exige donc une résistance thermique et chimique supérieure, ainsi qu'une uniformité thermique élevée. Nous avons conçu spécifiquement pour ces applications exigeantes d’équipement d’épitaxie.
Le suscepteur Semicorex MOCVD 3x2'' développé par Semicorex représente le summum de l'innovation et de l'excellence en ingénierie, spécialement conçu pour répondre aux exigences complexes des processus de fabrication de semi-conducteurs contemporains.**
En savoir plusenvoyer une demandeL'anneau de revêtement Semicorex SiC est un composant essentiel dans l'environnement exigeant des processus d'épitaxie de semi-conducteurs. Grâce à notre engagement constant à fournir des produits de qualité supérieure à des prix compétitifs, nous sommes prêts à devenir votre partenaire à long terme en Chine.*
En savoir plusenvoyer une demandeL'engagement de Semicorex envers la qualité et l'innovation est évident dans le segment des couvertures SiC MOCVD. En permettant une épitaxie SiC fiable, efficace et de haute qualité, il joue un rôle essentiel dans l'amélioration des capacités des dispositifs semi-conducteurs de nouvelle génération.**
En savoir plusenvoyer une demandeLe segment intérieur Semicorex SiC MOCVD est un consommable essentiel pour les systèmes de dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD) utilisés dans la production de tranches épitaxiales en carbure de silicium (SiC). Il est précisément conçu pour résister aux conditions exigeantes de l'épitaxie SiC, garantissant des performances de processus optimales et des épicouches SiC de haute qualité.**
En savoir plusenvoyer une demandeLes suscepteurs de tranches SiC Semicorex pour MOCVD sont un modèle de précision et d'innovation, spécialement conçus pour faciliter le dépôt épitaxial de matériaux semi-conducteurs sur des tranches. Les propriétés matérielles supérieures des plaques leur permettent de résister aux conditions rigoureuses de croissance épitaxiale, notamment aux températures élevées et aux environnements corrosifs, ce qui les rend indispensables pour la fabrication de semi-conducteurs de haute précision. Chez Semicorex, nous nous engageons à fabriquer et à fournir des suscepteurs de plaquettes SiC hautes performances pour MOCVD qui allient qualité et rentabilité.
En savoir plusenvoyer une demandeLes supports de plaquettes Semicorex avec revêtement SiC, partie intégrante du système de croissance épitaxiale, se distinguent par leur pureté exceptionnelle, leur résistance aux températures extrêmes et leurs propriétés d'étanchéité robustes, servant de plateau essentiel pour le support et le chauffage des plaquettes semi-conductrices pendant la phase critique du dépôt de la couche épitaxiale, optimisant ainsi les performances globales du procédé MOCVD. Chez Semicorex, nous nous engageons à fabriquer et à fournir des supports de plaquettes hautes performances avec revêtement SiC qui allient qualité et rentabilité.
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