Semicorex fournit une plaquette Epi GaN-on-Si haute puissance de 850 V. Par rapport à d'autres substrats pour dispositifs d'alimentation HMET, la plaquette épi GaN-sur-Si haute puissance 850 V permet des tailles plus grandes et des applications plus diversifiées, et peut être rapidement introduite dans les puces à base de silicium des usines grand public. Semicorex s'engage à fournir des produits de qualité à des prix compétitifs, nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.
En savoir plusenvoyer une demandeL'épitaxie Si est une technique cruciale dans l'industrie des semi-conducteurs, car elle permet la production de films de silicium de haute qualité dotés de propriétés adaptées à divers dispositifs électroniques et optoélectroniques. . Semicorex s'engage à fournir des produits de qualité à des prix compétitifs, nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.
En savoir plusenvoyer une demandeSemicorex propose une épitaxie GaN HEMT (nitrure de gallium) en couches minces personnalisées sur des substrats Si/SiC/GaN. Semicorex s'engage à fournir des produits de qualité à des prix compétitifs, nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.
En savoir plusenvoyer une demandeSemicorex propose une épitaxie SiC à couche mince personnalisée (carbure de silicium) sur des substrats pour le développement de dispositifs en carbure de silicium. Semicorex s'engage à fournir des produits de qualité à des prix compétitifs, nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.
En savoir plusenvoyer une demande