Bateau à plaquette en carbure de silicium

Derrière chaque processus à haute température dans la fabrication de plaquettes se trouve un joueur silencieux mais crucial: le bateau-plateau. En tant que porte-cœur qui contacte directement la tranche de silicium pendant le traitement de la plaquette, son matériau, sa stabilité et sa propreté sont directement liés au rendement final de la puce et à la stabilité du processus. Parmi divers matériaux porteurs,carbure de silicium (sic)Les bateaux remplacent progressivement les solutions de quartz traditionnelles, devenant la solution préférée pour les processus avancés et les équipements haut de gamme.

Pourquoi des bateaux à gigottes SIC?

Avec l'avancement des nœuds de processus inférieurs à 7 nm et l'expansion des fenêtres de processus à haute température, les bateaux à plateaux de quartz traditionnels sont de plus en plus en difficulté en termes de stabilité thermique, de contrôle des particules et de gestion de la durée de vie.

Cependant, les bateaux à plaquettes en carbure de silicium gagnent progressivement en raison des avantages suivants:

1.Sable à des températures élevées:

Ils offrent des températures de fonctionnement à long terme de 1350-1600 ° C, gérant facilement les processus traditionnels tels que les MCV, la diffusion et le recuit. Même une brève exposition à des températures de 1800 ° C ne montre pas d'adoucissement ni de déformation, ce qui les rend adaptés à des équipements haut de gamme tels que les fours à carbure de silicium monocristalle.

2. Expansion de la location et stabilité élevée de choc thermique:

Avec un faible coefficient de dilatation thermique, ils peuvent résister à des augmentations de température rapide et diminue, minimisant les fissures structurelles causées par la contrainte thermique. Ils maintiennent une excellente morphologie et des performances dans des atmosphères complexes à haute température (comme l'hydrogène, l'azote, l'ammoniac et les fluorures).

3. surface blanche et contamination extrêmement faible:

Pureté élevée du matériau avec des impuretés métalliques minimales. Basse rugosité de surface, empêchant la contamination secondaire des tranches de silicium; Excellent contrôle de rugosité de surface, avec une PR inférieure à 0,1 μm, supprime le dégagement des particules et répond aux exigences en salle blanche des processus avancés;

4. Moulage en une seule pièce, les structures de bateaux à plaquettes de précision peuvent être directement formées à travers sans mouleImpression 3D, éliminant le besoin de moules, améliorant considérablement l'efficacité de personnalisation; Combinée à une technologie d'usinage et de coupe à cinq axes, les dents du bateau sont sans bout, empêchant les rayures sur les plaquettes et assurant une manipulation automatisée en douceur;

5. Haute force et longue durée de vie: 

Un seul bateau possède une force de charge élevée et peut soutenir simultanément des dizaines à des centaines de plaquettes de 12 pouces. Par rapport aux bateaux de quartz traditionnels, la durée de vie moyenne du bateau est de 5 à 10 fois plus longue, réduisant la fréquence de changement d'équipement et le coût total de possession.

Scénario d'application

La large adaptabilité debateaux à plaquettes en carbure de siliciumétend leur application au-delà du champ semi-conducteur à une variété de scénarios de processus à haute température, notamment de nouveaux matériaux énergétiques, de la fabrication LED et de la recherche sur l'énergie nucléaire.

Industrie des semi-conducteurs

Il convient à des processus clés tels que l'oxydation, la diffusion, le dépôt de MCV et l'implantation d'ions, ce qui en fait un porteur à haute température indispensable pour les lignes de processus de sous-7 nm.

Industrie photovoltaïque

Dans les technologies de batterie émergentes telles que TopCon et HJT, les bateaux à plaquettes sont utilisés dans des processus de fournaise à haute température tels que le LPCVD et le recuit, contribuant à améliorer l'efficacité énergétique et les taux de conversion.

Semi-conducteurs de troisième génération

Pour les processus de croissance épitaxiale GAN et SIC dans les LED, ils soutiennent les substrats en saphir ou en carbure de silicium. Ils résistent aux gaz corrosifs tels que NH₃ et HCL, soutenant la fabrication de dispositifs d'alimentation à haute fréquence.

Nouvelle plate-forme d'énergie à haute température des matériaux et recherche

Soutient la réaction de frittage des matériaux de cathode de batterie de lithium et le traitement thermique des matériaux de l'industrie nucléaire, combinant la résistance à la chaleur, la résistance à la corrosion et la propreté.

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