À quels indicateurs faut-il prêter attention lors de la sélection des plaquettes appropriées ?

La sélection des plaquettes a un impact significatif sur le développement et la fabrication de dispositifs semi-conducteurs.Tranchela sélection doit être guidée par les exigences de scénarios d’application spécifiques et doit être soigneusement évaluée à l’aide des mesures cruciales suivantes.

1. Variation d'épaisseur totale :

La différence entre les épaisseurs maximale et minimale mesurées sur la surface de la plaquette est connue sous le nom de TTV.  Il s’agit d’une mesure importante pour mesurer l’uniformité de l’épaisseur, et des performances plus élevées sont indiquées par des valeurs plus petites.

2.Arc et chaîne :

L'indicateur d'arc se concentre sur le décalage vertical de la zone centrale de la plaquette, qui reflète uniquement l'état de courbure local. Il convient pour évaluer des scénarios sensibles à la planéité locale. L'indicateur de déformation est utile pour évaluer la planéité globale et la distorsion car il prend en compte la déviation de la surface entière de la tranche et fournit des informations sur la planéité globale de l'ensemble de la tranche.

3. Particule :

La contamination par des particules sur la surface de la tranche peut affecter la fabrication et les performances du dispositif. Il est donc nécessaire de minimiser la génération de particules pendant le processus de production et d'utiliser des processus de nettoyage spéciaux pour réduire et éliminer la contamination par les particules en surface.

4. Rugosité :

La rugosité fait référence à un indicateur qui mesure la planéité d'une plaquette à l'échelle microscopique, qui est différente de la planéité macroscopique. Plus la rugosité de la surface est faible, plus la surface est lisse. Des problèmes tels qu'un dépôt inégal de couches minces, des bords de motifs photolithographiques flous et de mauvaises performances électriques peuvent résulter d'une rugosité excessive.

5.défauts :

Les défauts de plaquette font référence à des structures de réseau incomplètes ou irrégulières provoquées par un traitement mécanique, qui à leur tour forment des couches de dommages cristallins contenant des microtuyaux, des dislocations et des rayures. Cela endommagerait les propriétés mécaniques et électriques de la plaquette et pourrait éventuellement entraîner une défaillance de la puce.

6. Type de conductivité/dopant :

Les deux types de plaquettes sont de type n et de type p, en fonction des composants dopants. Les tranches de type n sont généralement dopées avec des éléments du groupe V pour atteindre la conductivité. Le phosphore (P), l'arsenic (As) et l'antimoine (Sb) sont des éléments dopants courants. Les plaquettes de type P sont principalement dopées avec des éléments du groupe III, généralement du bore (B). Le silicium non dopé est appelé silicium intrinsèque. Ses atomes internes sont liés entre eux par des liaisons covalentes pour former une structure solide, ce qui en fait un isolant électriquement stable. Cependant, il n’existe pas de tranches de silicium intrinsèques totalement exemptes d’impuretés dans la production réelle.

7.Résistivité :

Le contrôle de la résistivité des plaquettes est essentiel car il affecte directement les performances des dispositifs semi-conducteurs. Afin de modifier la résistivité des plaquettes, les fabricants les dopent généralement. Les concentrations de dopant plus élevées entraînent une résistivité plus faible, tandis que les concentrations de dopant plus faibles entraînent une résistivité plus élevée.

En conclusion, il est recommandé de clarifier les conditions de processus ultérieures et les limitations de l'équipement avant de sélectionner des tranches, puis de faire votre sélection sur la base des indicateurs ci-dessus pour garantir le double objectif de raccourcir le cycle de développement des dispositifs semi-conducteurs et d'optimiser les coûts de fabrication.