Revêtement TaC

Les céramiques TaC ont un point de fusion pouvant atteindre 3 880 °C, une dureté élevée (dureté Mohs 9-10), une grande conductivité thermique (22 W·m^-1·K⁻¹), une grande résistance à la flexion (340-400MPa) et un faible coefficient de dilatation thermique (6,6 × 10^-6K-1), et présentent une excellente stabilité thermochimique et d'excellentes propriétés physiques, de sorte que les revêtements TaC sont largement utilisés dans la protection thermique aérospatiale, et que les composites graphite et C/C ont une bonne compatibilité chimique et mécanique. ), et présentent une excellente stabilité thermochimique et d'excellentes propriétés physiques, et les composites graphite et C/C ont une bonne compatibilité chimique et mécanique, de sorte que les revêtements TaC sont largement utilisés dans la protection thermique aérospatiale, la croissance monocristalline, l'énergie et l'électronique et les dispositifs médicaux, etc. Le graphite recouvert de TaC a une meilleure résistance chimique que le graphite nu ou le graphite recouvert de SiC et peut être utilisé de manière stable à une température élevée de 2 600°. La stabilité à haute température de 2600 °, et de nombreux éléments métalliques ne réagissent pas, est la troisième génération de scénarios de croissance de monocristaux semi-conducteurs et de gravure de plaquettes dans les meilleures performances du revêtement, peut améliorer considérablement le processus de contrôle de la température et des impuretés, la préparation de haute -plaquettes de carbure de silicium de qualité et plaquettes épitaxiales associées. Il est particulièrement adapté aux équipements MOCVD pour cultiver des monocristaux de GaN ou d'AlN et aux équipements PVT pour cultiver des monocristaux de SiC, et la qualité des monocristaux cultivés est considérablement améliorée.

Selon les résultats de la recherche,Le revêtement TaC peut agir comme une couche de protection et d'isolation pour prolonger la durée de vie des composants en graphite, améliorer l'uniformité de la température radiale, maintenir la stœchiométrie par sublimation SiC, supprimer la migration des impuretés et réduire la consommation d'énergie. À terme, un jeu de creusets en graphite revêtus de TaC devrait améliorer le contrôle du processus SiC PVT et la qualité des produits.