Le processus de plaquette épitaxiale est une technique critique utilisée dans la fabrication de semi-conducteurs. Cela implique la croissance d'une fine couche de matériau cristallin au-dessus d'un substrat, qui a la même structure cristalline et la même orientation que le substrat. Ce processus crée une interface de haute qualité entre les deux matériaux, permettant le développement d'appareils électroniques avancés.

Le processus de plaquette épitaxiale est utilisé dans la production de divers dispositifs à semi-conducteurs, notamment des diodes, des transistors et des circuits intégrés. Le processus est généralement réalisé en utilisant des techniques de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou d'épitaxie par jet moléculaire (MBE). Ces techniques impliquent le dépôt d'atomes de matériau sur la surface du substrat, où ils forment une couche cristalline.

Le processus de plaquette épitaxiale est une technique complexe et précise qui nécessite un contrôle strict de divers paramètres tels que la température, la pression et le débit de gaz. La croissance de la couche épitaxiale doit être soigneusement contrôlée pour assurer la formation d'une structure cristalline de haute qualité avec une faible densité de défauts.

La qualité du processus de plaquette épitaxiale est critique pour les performances du dispositif semi-conducteur résultant. La couche épitaxiale doit avoir une épaisseur uniforme, une faible densité de défauts et un haut niveau de pureté pour assurer des propriétés électroniques optimales. L'épaisseur et le niveau de dopage de la couche épitaxiale peuvent être contrôlés avec précision pour obtenir les propriétés souhaitées, telles que la conductivité et la bande interdite.

Au cours des dernières années, le procédé de tranches épitaxiales a pris une importance croissante dans la production de dispositifs semi-conducteurs à hautes performances, en particulier dans le domaine de l'électronique de puissance. La demande de dispositifs hautes performances avec une efficacité et une fiabilité améliorées a conduit au développement de processus avancés de tranches épitaxiales.

Le processus de plaquette épitaxiale est également utilisé dans le développement de capteurs avancés, notamment des capteurs de température, des capteurs de gaz et des capteurs de pression. Ces capteurs nécessitent des couches cristallines de haute qualité avec des propriétés électroniques spécifiques, qui peuvent être obtenues grâce au processus de plaquette épitaxiale.