Connaître le MOCVD

MOCVD est une nouvelle technologie de croissance épitaxiale en phase vapeur développée sur la base de la croissance épitaxiale en phase vapeur (VPE). MOCVD utilise des composés organiques d'éléments III et II et des hydrures d'éléments V et VI comme matériaux sources de croissance cristalline. Il effectue une épitaxie en phase vapeur sur le substrat par réaction de décomposition thermique pour faire croître divers groupes principaux III-V, des matériaux monocristallins en couche mince de semi-conducteurs composés du sous-groupe II-VI et leurs solutions solides multi-éléments. Habituellement, la croissance des cristaux dans le système MOCVD est réalisée dans une chambre de réaction en quartz (acier inoxydable) à paroi froide avec du H2 circulant sous pression normale ou basse (10-100 Torr). La température du substrat est de 500 à 1 200 °C et la base en graphite est chauffée avec du courant continu (le substrat est au-dessus de la base en graphite) et du H2 barbote à travers une source de liquide à température contrôlée pour transporter les composés organométalliques vers le zone de croissance.

MOCVD a un large éventail d’applications et peut produire presque tous les composés et alliages semi-conducteurs. Il est très approprié pour cultiver divers matériaux à hétérostructure. Il peut également faire croître des couches épitaxiales ultra-minces et obtenir des transitions d'interface très abruptes. La croissance est facile à contrôler et peut croître avec une très grande pureté. Matériaux de haute qualité, la couche épitaxiale présente une bonne uniformité sur une grande surface et peut être produite à grande échelle.

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