Procédé CVD pour l'épitaxie de tranches de SiC

Le procédé CVD pour l'épitaxie de plaquettes de SiC implique le dépôt de films de SiC sur un substrat de SiC à l'aide d'une réaction en phase gazeuse. Les gaz précurseurs SiC, typiquement le méthyltrichlorosilane (MTS) et l'éthylène (C2H4), sont introduits dans une chambre de réaction où le substrat SiC est chauffé à haute température (généralement entre 1400 et 1600 degrés Celsius) sous une atmosphère contrôlée d'hydrogène (H2) .

Epi-wafer Barrel suscepteur

Au cours du processus CVD, les gaz précurseurs SiC se décomposent sur le substrat SiC, libérant des atomes de silicium (Si) et de carbone (C), qui se recombinent ensuite pour former un film SiC sur la surface du substrat. La vitesse de croissance du film de SiC est généralement contrôlée en ajustant la concentration des gaz précurseurs de SiC, la température et la pression de la chambre de réaction.

L'un des avantages du procédé CVD pour l'épitaxie des tranches de SiC est la possibilité d'obtenir des films de SiC de haute qualité avec un degré élevé de contrôle sur l'épaisseur, l'uniformité et le dopage du film. Le processus CVD permet également le dépôt de films SiC sur des substrats de grande surface avec une reproductibilité et une évolutivité élevées, ce qui en fait une technique rentable pour la fabrication à l'échelle industrielle.