Infineon dévoile la première plaquette Power GaN de 300 mm au monde

Récemment, Infineon Technologies a annoncé le développement réussi de la première technologie de plaquette de nitrure de gallium (GaN) de puissance de 300 mm au monde. Cela en fait la première entreprise à maîtriser cette technologie révolutionnaire et à réaliser une production de masse dans les environnements de fabrication existants à grande échelle et à haute capacité. Cette innovation marque une avancée significative sur le marché des semi-conducteurs de puissance à base de GaN.

Comment la technologie 300 mm se compare-t-elle à la technologie 200 mm ?

Par rapport à la technologie de 200 mm, l'utilisation de tranches de 300 mm permet de produire 2,3 fois plus de puces GaN par tranche, améliorant ainsi considérablement l'efficacité et le rendement de la production. Cette avancée consolide non seulement le leadership d’Infineon dans le domaine des systèmes électriques, mais accélère également le développement rapide de la technologie GaN.

Qu’a dit le PDG d’Infineon à propos de cette réussite ?

Jochen Hanebeck, PDG d'Infineon Technologies, a déclaré : « Cette réalisation remarquable démontre notre solide force d'innovation et témoigne des efforts incessants de notre équipe mondiale. Nous sommes convaincus que cette avancée technologique remodèlera les normes de l’industrie et libérera tout le potentiel de la technologie GaN. Près d'un an après notre acquisition de GaN Systems, nous démontrons une fois de plus notre détermination à devenir leader sur le marché en croissance rapide du GaN. En tant que leader des systèmes électriques, Infineon a acquis un avantage concurrentiel dans trois matériaux clés : le silicium, le carbure de silicium et le GaN.

Jochen Hanebeck, PDG d'Infineon, détient l'une des premières tranches GaN Power de 300 mm au monde produites dans un environnement de fabrication à grand volume existant et évolutif

Pourquoi la technologie GaN 300 mm est-elle avantageuse ?

L’un des avantages significatifs de la technologie GaN 300 mm est qu’elle peut être produite à l’aide des équipements de fabrication de silicium 300 mm existants, car le GaN et le silicium partagent des similitudes dans les processus de fabrication. Cette fonctionnalité permet à Infineon d'intégrer de manière transparente la technologie GaN dans ses systèmes de production actuels, accélérant ainsi l'adoption et l'application de la technologie.

Où Infineon a-t-il produit avec succès des plaquettes GaN de 300 mm ?

Actuellement, Infineon a fabriqué avec succès des tranches de GaN de 300 mm sur les lignes de production de silicium de 300 mm existantes dans sa centrale électrique de Villach, en Autriche. S'appuyant sur les bases établies de la technologie GaN de 200 mm et de la production de silicium de 300 mm, la société a encore étendu ses capacités technologiques et de production.

Que signifie cette avancée pour l’avenir ?

Cette avancée met non seulement en évidence les atouts d’Infineon en matière d’innovation et de capacités de production à grande échelle, mais constitue également une base solide pour le développement futur du secteur des semi-conducteurs de puissance. À mesure que la technologie GaN continue d'évoluer, Infineon continuera à stimuler la croissance du marché, renforçant ainsi sa position de leader dans l'industrie mondiale des semi-conducteurs.**