Polissage de surface des plaquettes de silicium

Plaquette de siliciumle polissage de surface est un processus crucial dans la fabrication de semi-conducteurs. Son objectif principal est d'atteindre des normes extrêmement élevées de planéité et de rugosité des surfaces en éliminant les micro-défauts, les couches de dommages dus aux contraintes et la contamination par des impuretés telles que les ions métalliques. Cela garantit que leplaquettes de siliciumrépondre aux exigences de préparation des dispositifs microélectroniques, y compris les circuits intégrés (CI).

Pour garantir la précision du polissage, leplaquette de siliciumLe processus de polissage peut être organisé en deux, trois ou même quatre étapes distinctes. Chaque étape utilise différentes conditions de traitement, notamment la pression, la composition du liquide de polissage, la taille des particules, la concentration, la valeur du pH, le matériau du tissu de polissage, la structure, la dureté, la température et le volume de traitement.

Les étapes générales deplaquette de siliciumle polissage est le suivant :

1. **Polissage grossier** : Cette étape vise à éliminer la couche de dommages dus aux contraintes mécaniques laissée sur la surface par le traitement préalable, obtenant ainsi la précision dimensionnelle géométrique requise. Le volume de traitement pour le polissage grossier dépasse généralement 15 à 20 μm.

2. **Polissage fin** : Dans cette étape, la planéité et la rugosité locales de la surface de la plaquette de silicium sont encore minimisées pour garantir une qualité de surface élevée. Le volume de traitement pour le polissage fin est d’environ 5 à 8 μm.

3. **Polissage fin « Désembuage »** : Cette étape se concentre sur l'élimination des minuscules défauts de surface et l'amélioration des caractéristiques nanomorphologiques de la plaquette. La quantité de matière éliminée au cours de ce processus est d'environ 1 μm.

4. **Polissage final** : Pour les processus de puces IC avec des exigences de largeur de ligne extrêmement strictes (telles que les puces inférieures à 0,13 μm ou 28 nm), une étape de polissage finale est essentielle après un polissage fin et un polissage fin de « désembuage ». Cela garantit que la plaquette de silicium atteint une précision d'usinage exceptionnelle et des caractéristiques de surface à l'échelle nanométrique.

Il est important de noter que le polissage mécano-chimique (CMP) duplaquette de siliciumLa surface est distincte de la technologie CMP utilisée pour aplatir la surface de la plaquette lors de la préparation des circuits intégrés. Bien que les deux méthodes impliquent une combinaison de polissage chimique et mécanique, leurs conditions, objectifs et applications diffèrent considérablement.

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