2025-10-13
Les pommes de douche en carbure de silicium (SiC) sont des composants clés des équipements de fabrication de semi-conducteurs, jouant un rôle crucial dans les processus avancés tels que le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et le dépôt de couche atomique (ALD).
La fonction première d'unPomme de douche SiCconsiste à répartir uniformément les gaz réactifs sur la surface de la plaquette, garantissant ainsi des couches déposées uniformes et cohérentes. Dans les procédés CVD et ALD, une distribution uniforme des gaz réactifs est cruciale pour obtenir des films minces de haute qualité. La structure unique et les propriétés matérielles des pommes de douche SiC permettent une distribution efficace du gaz et un flux de gaz uniforme, répondant ainsi aux exigences strictes en matière de qualité et de performances des films dans la fabrication de semi-conducteurs.
Au cours du processus de réaction de la plaquette, la surface de la pomme de douche est densément recouverte de micropores (diamètre des pores 0,2 à 6 mm). Grâce à une structure de pores et un chemin de gaz conçus avec précision, les gaz de traitement spécialisés passent à travers des milliers de petits trous dans la plaque de distribution de gaz et se déposent uniformément sur la surface de la tranche. Cela garantit des couches de film très uniformes et cohérentes sur différentes régions de la tranche. C'est pourquoi, outre les exigences extrêmement élevées en matière de propreté et de résistance à la corrosion, la plaque de distribution de gaz impose également des exigences strictes en matière de cohérence du diamètre d'ouverture et de présence de bavures sur les parois intérieures des ouvertures. Une tolérance excessive et un écart type de cohérence de la taille de l'ouverture, ou la présence de bavures sur une paroi interne, entraîneront une épaisseur inégale du film déposé, ayant un impact direct sur le rendement du processus de l'équipement. Dans les processus assistés par plasma (tels que le PECVD et la gravure sèche), la pomme de douche, en tant que partie intégrante de l'électrode, génère un champ électrique uniforme à l'aide d'une source d'énergie RF, favorisant une distribution uniforme du plasma et améliorant ainsi l'uniformité de la gravure ou du dépôt.
Les pommes de douche SiC sont largement utilisées dans la fabrication de circuits intégrés, de systèmes microélectromécaniques (MEMS), de semi-conducteurs de puissance et dans d'autres domaines. Leurs avantages en termes de performances sont particulièrement évidents dans les nœuds de processus avancés nécessitant un dépôt de haute précision, tels que les processus 7 nm et 5 nm et moins. Ils assurent une distribution de gaz stable et uniforme, garantissant l'uniformité et la cohérence de la couche déposée, améliorant ainsi les performances et la fiabilité des dispositifs semi-conducteurs.
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