Commencer la production de la plaquette 3C-SiC

La conductivité thermique du 3C-SiC massif, récemment mesurée, est la deuxième plus élevée parmi les grands cristaux à l'échelle du pouce, se classant juste en dessous du diamant. Le carbure de silicium (SiC) est un semi-conducteur à large bande interdite largement utilisé dans les applications électroniques, et il existe sous diverses formes cristallines appelées polytypes. La gestion d'un flux de chaleur localisé élevé est un défi important dans l'électronique de puissance, car elle peut entraîner une surchauffe de l'appareil et des problèmes de performance et de fiabilité à long terme.

Les matériaux à haute conductivité thermique sont cruciaux dans la conception de la gestion thermique pour relever efficacement ce défi. Les polytypes de SiC les plus couramment utilisés et étudiés sont la phase hexagonale (6H et 4H), tandis que la phase cubique (3C) est moins explorée, malgré son potentiel d'excellentes propriétés électroniques.

La conductivité thermique mesurée du 3C-SiC a été déconcertante car elle tombe en dessous de la phase 6H-SiC structurellement plus complexe et même inférieure à la valeur théoriquement prédite. En fait, contenus dans les cristaux 3C-SiC provoquent une diffusion extrême des phonons résonnants, ce qui réduit considérablement sa conductivité thermique. Haute conductivité thermique grâce aux cristaux 3C-SiC de haute pureté et de haute qualité cristalline.

Remarquablement, les couches minces de 3C-SiC développées sur des substrats en Si présentent des performances thermiques dans le plan et dans le plan croisé record.conductivité, surpassant même les films minces de diamant d'épaisseurs équivalentes. Cette étude classe le 3C-SiC comme le deuxième matériau à conductivité thermique la plus élevée parmi les cristaux à l'échelle du pouce, juste derrière le diamant monocristallin, qui possède la conductivité thermique la plus élevée parmi tous les matériaux naturels.

La rentabilité, la facilité d'intégration avec d'autres matériaux et la possibilité de développer de grandes tailles de plaquettes font du 3C-SiC un matériau de gestion thermique très approprié et un matériau électronique exceptionnel à haute conductivité thermique pour une fabrication évolutive. La combinaison unique de propriétés thermiques, électriques et structurelles du 3C-SiC a le potentiel de révolutionner la prochaine génération d'électronique, servant de composants actifs ou de matériaux de gestion thermique pour faciliter le refroidissement des appareils et réduire la consommation d'énergie. Les applications qui peuvent bénéficier de la conductivité thermique élevée du 3C-SiC comprennent l'électronique de puissance, l'électronique radiofréquence et l'optoélectronique.

Nous avons le plaisir de vous informer que Semicorex a commencé la production dePlaquettes 3C-SiC de 4 pouces. Si vous avez des questions ou avez besoin de plus amples informations, n'hésitez pas à nous contacter.

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