Gravure sèche vs gravure humide

Dans la fabrication des semi-conducteurs, la gravure est l’une des étapes majeures, avec la photolithographie et le dépôt de couches minces. Il s’agit d’éliminer les matériaux indésirables de la surface d’une plaquette à l’aide de méthodes chimiques ou physiques. Cette étape est réalisée après enduction, photolithographie et développement. Il est utilisé pour retirer le matériau du film mince exposé, ne laissant que la partie souhaitée de la tranche, puis pour éliminer l'excès de photorésist. Ces étapes sont répétées plusieurs fois pour créer des circuits intégrés complexes.

Etching is classified into two categories: dry etching and wet etching. Dry etching involves using reactive gases and plasma etching, while wet etching involves immersing the material in a corrosion solution to corrode it. Dry etching allows for anisotropic etching, which means that only the vertical direction of the material is etched without affecting the transverse material. This ensures the transfer of small graphics with fidelity. In contrast, wet etching is not controllable, which can reduce the width of the line or even destroy the line itself. This results in poor quality production chips.

La gravure sèche est classée en gravure physique, gravure chimique et gravure physico-chimique en fonction du mécanisme de gravure ionique utilisé. La gravure physique est hautement directionnelle et peut être une gravure anisotrope, mais pas une gravure sélective. La gravure chimique utilise le plasma dans l'activité chimique du groupe atomique et le matériau à graver pour atteindre l'objectif de gravure. Il a une bonne sélectivité, mais l'anisotropie est mauvaise en raison du cœur de la gravure ou de la réaction chimique.