L'impact de la température sur les revêtements CVD-SiC

Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est une technique polyvalente permettant de produire des revêtements de haute qualité avec diverses applications dans des industries telles que l'aérospatiale, l'électronique et la science des matériaux. Les revêtements CVD-SiC sont connus pour leurs propriétés exceptionnelles, notamment leur résistance aux températures élevées, leur résistance mécanique et leur excellente résistance à la corrosion. Le processus de croissance du CVD-SiC est très complexe et sensible à plusieurs paramètres, la température étant un facteur critique. Dans cet article, nous explorerons les effets de la température sur les revêtements CVD-SiC et l'importance de sélectionner la température de dépôt optimale.

Le processus de croissance du CVD-SiC est relativement complexe et le processus peut être résumé comme suit : à haute température, le MTS est thermiquement décomposé pour former de petites molécules de carbone et de silicium, les principales molécules sources de carbone sont CH3, C2H2 et C2H4, et les principales molécules sources de silicium sont SiCl2 et SiCl3, etc. ; ces petites molécules de carbone et de silicium sont ensuite transportées par des gaz porteurs et de dilution jusqu'au voisinage de la surface du substrat en graphite, puis elles sont adsorbées sous forme d'état adsorbat. Ces petites molécules seront transportées vers la surface du substrat de graphite par le gaz porteur et le gaz de dilution, puis ces petites molécules seront adsorbées sur la surface du substrat sous forme d'état d'adsorption, puis les petites molécules réagiront avec chacune les autres pour former de petites gouttelettes et grandir, et les gouttelettes fusionneront également les unes avec les autres, et la réaction s'accompagne de la formation de sous-produits intermédiaires (gaz HCl) ; en raison de la température élevée de la surface du substrat en graphite, les gaz intermédiaires seront délogés de la surface du substrat, puis le C et le Si résiduels seront transformés en un état solide. Enfin, le C et le Si restant sur la surface du substrat formeront un SiC en phase solide pour former un revêtement SiC.

La température dansRevêtement CVD-SiCLes processus sont un paramètre critique qui affecte le taux de croissance, la cristallinité, l'homogénéité, la formation de sous-produits, la compatibilité du substrat et les coûts énergétiques. Le choix d'une température optimale, dans ce cas, 1 100 °C, représente un compromis entre ces facteurs pour obtenir la qualité et les propriétés de revêtement souhaitées.