2024-03-08
L'industrie du carbure de silicium implique une chaîne de processus qui incluent la création de substrats, la croissance épitaxiale, la conception de dispositifs, la fabrication de dispositifs, l'emballage et les tests. En général, le carbure de silicium est créé sous forme de lingots, qui sont ensuite tranchés, broyés et polis pour produire unsubstrat en carbure de silicium. Le substrat passe par le processus de croissance épitaxiale pour produire unplaquette épitaxiale. La plaquette épitaxiale est ensuite utilisée pour créer un dispositif à travers diverses étapes telles que la photolithographie, la gravure, l'implantation ionique et le dépôt. Les plaquettes sont découpées en matrices et encapsulées pour obtenir les dispositifs. Enfin, les appareils sont combinés et assemblés en modules dans un boîtier spécial.
La valeur de la chaîne industrielle du carbure de silicium est principalement concentrée dans les substrats en amont et les maillons épitaxiaux. Selon les données de CASA, le substrat représente environ 47 % du coût des dispositifs en carbure de silicium, et la liaison épitaxiale 23 %. Le coût avant fabrication représente 70 % du coût total. En revanche, pour les dispositifs à base de Si, la fabrication des plaquettes représente 50 % du coût, et le substrat de la plaquette ne représente que 7 % du coût. Cela met en évidence la valeur du substrat en amont et des liaisons épitaxiales pour les dispositifs en carbure de silicium.
Malgré le fait que lesubstrat en carbure de siliciumetépitaxialeles prix sont relativement chers par rapport à la plaquette de silicium, le rendement élevé, la densité de puissance élevée et d'autres caractéristiques des dispositifs en carbure de silicium les rendent attrayants pour diverses industries, notamment les véhicules à énergies nouvelles, l'énergie et les secteurs industriels. Par conséquent, la demande de dispositifs en carbure de silicium devrait augmenter rapidement, ce qui entraînera la pénétration du carbure de silicium dans divers domaines.