Qu'est-ce qu'une tranche de SiC de type P ?

A Plaquette de carbure de silicium (SiC) de type Pest un substrat semi-conducteur qui est dopé avec des impuretés pour créer une conductivité de type P (positive). Le carbure de silicium est un matériau semi-conducteur à large bande interdite qui offre des propriétés électriques et thermiques exceptionnelles, ce qui le rend adapté aux appareils électroniques haute puissance et haute température.

Dans le contexte des plaquettes de SiC, « type P » fait référence au type de dopage utilisé pour modifier la conductivité du matériau. Le dopage consiste à introduire intentionnellement des impuretés dans la structure cristalline du semi-conducteur pour modifier ses propriétés électriques. Dans le cas du dopage de type P, on introduit des éléments ayant moins d'électrons de valence que le silicium (matériau de base du SiC), comme l'aluminium ou le bore. Ces impuretés créent des "trous" dans le réseau cristallin, qui peuvent agir comme porteurs de charge, résultant en une conductivité de type P.

Les tranches de SiC de type P sont essentielles pour la fabrication de divers composants électroniques, y compris les dispositifs de puissance tels que les transistors à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET), les diodes Schottky et les transistors à jonction bipolaire (BJT). Ils sont généralement développés à l'aide de techniques de croissance épitaxiale avancées et sont ensuite traités pour créer des structures et des fonctionnalités de dispositif spécifiques requises pour différentes applications.