2023-06-19
Le silicium sur isolant (SOI) est reconnu comme l'une des solutions pour remplacer les matériaux de silicium monocristallin existants à l'ère des nanotechnologies et est un outil majeur pour maintenir la tendance de la loi de Moore. Le silicium sur isolant, une technologie de substrat qui remplace le silicium de substrat en vrac traditionnel par un substrat "spécialisé", est utilisé depuis plus de 30 ans dans des applications spécialisées telles que les systèmes électroniques militaires et spatiaux, où le SOI présente des avantages uniques en raison de son excellente résistance aux radiations et caractéristiques à grande vitesse.
Les matériaux SOI sont à la base du développement de la technologie SOI, et le développement de la technologie SOI dépend de l'avancement continu des matériaux SOI. Le manque de matériaux SOI bon marché et de haute qualité a été le principal obstacle à l'entrée de la technologie SOI dans la production industrielle à grande échelle. Ces dernières années, avec la maturité de la technologie de préparation des matériaux SOI, le problème matériel qui limite le développement de la technologie SOI est progressivement résolu, ce qui comprend finalement deux types de technologie de préparation des matériaux SOI, à savoir, Speration-by-oxygen implantation (SIMOX) et la technologie de liaison. La technologie de collage comprend la technologie traditionnelle Bond and Etch back (BESOI) et la technologie Smart-cut combinant l'injection d'ions hydrogène et le collage proposée par M. Bruel, l'un des fondateurs de SOITEC en France, ainsi que la préparation du matériau Simbond SOI combinant isolation et liaison de l'oxygène proposées par le Dr Meng Chen en 2005. La nouvelle technologie combine l'isolation et la liaison par injection d'oxygène.