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Couches et substrats épitaxiaux de silicium dans la fabrication de semi-conducteurs

Dans les domaines de l’électronique moderne, de l’optoélectronique, de la microélectronique et des technologies de l’information, les substrats semi-conducteurs et les technologies épitaxiales sont indispensables. Ils constituent une base solide pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs ha......

Avantages du SiC dans l'industrie des véhicules électriques

En tant que matériau semi-conducteur à large bande interdite (WBG), la différence d'énergie plus large du SiC lui confère des propriétés thermiques et électroniques plus élevées que celles du Si traditionnel. Cette fonctionnalité permet aux appareils électriques de fonctionner à des températures, fr......

Contrôle du dopage dans la croissance du SiC par sublimation

Le carbure de silicium (SiC) joue un rôle important dans la fabrication de composants électroniques de puissance et de dispositifs haute fréquence en raison de ses excellentes propriétés électriques et thermiques. La qualité et le niveau de dopage des cristaux de SiC affectent directement les perfor......

L'importance des matériaux graphites poreux pour la croissance des cristaux de SiC

Le composant du four de croissance cristalline SiC de Semicorex, le baril de graphite poreux, apportera trois avantages majeurs et pourra renforcer efficacement la compétitivité des substrats SiC nationaux :

Connaître le MOCVD

MOCVD est une nouvelle technologie de croissance épitaxiale en phase vapeur développée sur la base de la croissance épitaxiale en phase vapeur (VPE).

Applications des composants en graphite revêtus de TaC

Dans le processus de croissance de monocristaux de SiC et d'AlN par la méthode de transport physique de vapeur (PVT), des composants tels que le creuset, le support de germe cristallin et l'anneau de guidage jouent un rôle essentiel. Au cours du processus de préparation du SiC, le cristal germe est ......

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