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Nouvelles

À propos des défauts des cristaux de SiC - Micropipe

Le substrat SiC peut présenter des défauts microscopiques, tels que la luxation de la vis filetée (TSD), la luxation du bord du filetage (TED), la luxation du plan de base (BPD) et autres. Ces défauts sont causés par des écarts dans la disposition des atomes au niveau atomique. Les cristaux de SiC p......

Pourquoi choisir la méthode d’épitaxie en phase liquide ?

Par rapport à la méthode PVT, la méthode en phase liquide pour la croissance du SiC présente les avantages suivants :

Qu’est-ce que l’épitaxie en phase liquide ?

La méthode en phase liquide est plus proche des conditions d’équilibre thermodynamique et permet de faire croître des cristaux de SiC de meilleure qualité.

Revêtement TaC

Selon les résultats de la recherche, le revêtement TaC peut agir comme une couche de protection et d'isolation pour prolonger la durée de vie des composants en graphite, améliorer l'uniformité de la température radiale, maintenir la stœchiométrie par sublimation SiC, supprimer la migration des impur......

Qu’est-ce que le processus CVD dans les semi-conducteurs ?

Le dépôt chimique en phase vapeur CVD fait référence à l'introduction de deux matières premières gazeuses ou plus dans une chambre de réaction sous vide et dans des conditions de température élevée, où les matières premières gazeuses réagissent les unes avec les autres pour former un nouveau matéria......

Aperçu du développement de l’industrie photovoltaïque

D’ici 2027, l’énergie solaire photovoltaïque (PV) dépassera le charbon en tant que plus grande capacité installée au monde. La capacité cumulée installée de l’énergie solaire photovoltaïque triplera presque selon nos prévisions, augmentant de près de 1 500 gigawatts sur cette période, et dépassera l......

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