Plaquette monocristalline aln

La tranche monocristalline Semicorex Aln est un progrès révolutionnaire dans la technologie semi-conducteurs, offrant une combinaison unique de propriétés électriques, thermiques et mécaniques exceptionnelles. En tant que matériau semi-conducteur à bande interdite ultra-large avec une bande interdite de 6,2 eV, l'ALN est de plus en plus reconnu comme le substrat optimal pour les appareils optoélectroniques à haute puissance, haute fréquence et ultraviolet profond (UV). Ces propriétés positionnent l'ALN comme une alternative supérieure aux substrats traditionnels comme le saphir, le carbure de silicium (SIC) et le nitrure de gallium (GAN), en particulier dans les applications exigeant une stabilité thermique extrême, une tension de dégradation élevée et une conductivité thermique supérieure.

À l'heure actuelle, la plaquette monocristalline ALN est disponible dans le commerce en tailles jusqu'à 2 pouces de diamètre. À mesure que les efforts de recherche et de développement se poursuivent, les progrès des technologies de croissance des cristaux devraient permettre une taille plus importante de la plaque, l'amélioration de l'évolutivité de la production et la réduction des coûts des applications industrielles.

Semblable à la croissance monocristalline SIC, les monocristaux ALN ne peuvent pas être cultivés par la méthode de fusion mais ne peuvent être cultivés que par le transport physique de vapeur (PVT).

Il existe trois stratégies de croissance importantes pour la croissance du PVT monocristallo: ALN:

1) Croissance de la nucléation spontanée

2) Croissance hétéroépitaxiale sur le substrat 4H- / 6H-SIC

3) croissance homoépitaxiale

La plaquette monocristalline ALN se distingue par leur bande interdite ultra-large de 6,2 eV, ce qui garantit une isolation électrique exceptionnelle et des performances UV profondes inégalées. Ces plaquettes possèdent un champ électrique à panne élevé qui dépasse celui de SIC et GAn, les positionnant comme le choix optimal pour les dispositifs électroniques de haute puissance. Avec une conductivité thermique impressionnante d'environ 320 W / Mk, elles assurent une dissipation de chaleur efficace, une exigence critique pour les applications de haute puissance. L'ALN est non seulement chimiquement et thermiquement stable, mais maintient également les performances supérieures dans des environnements extrêmes. Sa résistance au rayonnement supérieure en fait une option inégalée pour l'espace et les applications nucléaires. En outre, ses propriétés piézoélectriques remarquables, sa vitesse de scie élevée et son fort couplage électromécanique l'ont fait comme un candidat exceptionnel pour les dispositifs, filtres et capteurs au niveau du GHZ.

ALN Single Crystal Wafer trouve des applications étendues dans divers dispositifs électroniques et optoélectroniques à haute performance. Ils servent de substrat idéal pour l'optoélectronique ultraviolette profonde (DUV), y compris des LED UV profondes opérant dans la gamme de 200-280 nm pour la stérilisation, la purification de l'eau et les applications biomédicales, ainsi que les diodes laser UV (LD) utilisées dans des champs industriels et médicaux avancés. L'ALN est également largement utilisé dans les dispositifs électroniques haute puissance et haute fréquence, en particulier dans les composants radiofréquences (RF) et micro-ondes, où sa tension de rupture élevée et sa faible diffusion d'électrons assurent des performances supérieures dans les amplificateurs de puissance et les systèmes de communication. De plus, il joue un rôle crucial dans l'électronique de puissance, améliorant l'efficacité des onduleurs et des convertisseurs dans les véhicules électriques, les systèmes d'énergie renouvelable et les applications aérospatiales. En outre, les excellentes propriétés piézoélectriques d'ALN et la vitesse élevée de la scie en font un matériau optimal pour les appareils d'onde acoustique de surface (SAW) et d'ondes acoustiques en vrac (BAW), qui sont essentielles pour les télécommunications, le traitement du signal et les technologies de détection. En raison de sa conductivité thermique exceptionnelle, l'ALN est également un matériau clé dans les solutions de gestion thermique pour les LED haute puissance, les diodes laser et les modules électroniques, offrant une dissipation de chaleur efficace et une longévité d'amélioration des dispositifs.

La plaquette monocristalline Semicorex Aln représente l'avenir des substrats semi-conducteurs, offrant des propriétés électriques, thermiques et piézoélectriques inégalées. Leurs applications dans l'optoélectronique UV profonde, l'électronique de puissance et les dispositifs d'ondes acoustiques en font un matériau très recherché pour la technologie de nouvelle génération. Alors que les capacités de fabrication continuent de s'améliorer, les plaquettes d'ALN deviendront une composante indispensable des dispositifs de semi-conducteurs à haute performance, ouvrant la voie à des progrès innovants dans plusieurs industries.