Plateau de support de creuset

Dans la fabrication de semi-conducteurs à haute température, la stabilité et la précision sont essentielles pour garantir une qualité cristalline constante. Le plateau de support de creuset Semicorex joue un rôle essentiel, mais souvent négligé, dans le maintien de l'intégrité du processus de croissance cristalline en fournissant une base fiable dans des conditions thermiques et mécaniques extrêmes.

Le plateau de support du creuset, également connu sous le nom decarbone/carbone (C/C)Le support de creuset est spécialement conçu pour supporter les creusets en quartz ou en graphite pendant la croissance du silicium monocristallin. Positionné à la base du champ thermique, ce composant doit résister à une exposition prolongée à des températures élevées tout en conservant son intégrité structurelle et sa stabilité dimensionnelle. Sa conception robuste garantit que le creuset reste solidement positionné tout au long du processus, minimisant ainsi les vibrations, les déformations ou les désalignements qui pourraient affecter négativement la qualité des cristaux.

Rôle du Plateau Support C/C

Lors de la croissance du silicium monocristallin, les températures dépassent souvent 1 400°C. Les matériaux en graphite traditionnels, bien qu’utiles, sont souvent confrontés à des problèmes de durée de vie et de déformation sous le poids élevé du silicium en fusion. Notre plateau de support de creuset composite C/C résout ces problèmes.

En utilisant une matrice renforcée en fibre de carbone à haute résistance, ce plateau offre un profil de dilatation thermique « proche de zéro » et une capacité de charge exceptionnelle. Il sert d'interface entre le creuset et l'arbre rotatif, maintenant un plan parfaitement nivelé pour éviter les turbulences de fusion et les défauts cristallins.

Spécifications techniques et excellence des matériaux

Densité : ≥ 1,3 g/cm³

Résistance à la flexion : ≥ 110 MPa

Coefficient de dilatation thermique (CTE) : ≤ 1,0 × 10⁻⁶ /K

Résistance à la compression : ≥ 160 MPa