GaN contre SiC

Plusieurs documents font actuellement l'objet d'une enquête, parmi lesquelscarbure de siliciums’impose comme l’un des plus prometteurs. Semblable àGaN, il présente des tensions de fonctionnement plus élevées, des tensions de claquage plus élevées et une conductivité supérieure à celle du silicium. De plus, grâce à sa conductivité thermique élevée,carbure de siliciumpeut être utilisé dans des environnements à températures extrêmes. Enfin, il est nettement plus petit mais capable de gérer une plus grande puissance.

Bien queSiCest un matériau approprié pour les amplificateurs de puissance, il ne convient pas aux applications haute fréquence. D'autre part,GaNest le matériau préféré pour construire de petits amplificateurs de puissance. Cependant, les ingénieurs ont été confrontés à un défi lorsqu'il s'agissait de combinerGaNavec des transistors MOS en silicium de type P, car cela limitait la fréquence et l'efficacité deGaN. Même si cette combinaison offrait des capacités complémentaires, elle ne constituait pas une solution idéale au problème.

À mesure que la technologie progresse, les chercheurs pourraient éventuellement trouver des dispositifs GaN de type P ou des dispositifs complémentaires utilisant différentes technologies pouvant être combinées avecGaN. Mais jusqu'à ce jour,GaNcontinuera d’être limité par la technologie de notre époque.

L'avancement deGaNla technologie nécessite un effort de collaboration entre la science des matériaux, le génie électrique et la physique. Cette approche interdisciplinaire est nécessaire pour surmonter les limites actuelles deGaNtechnologie. Si nous parvenons à réaliser des percées dans le développement du GaN de type P ou à trouver des matériaux complémentaires appropriés, cela améliorera non seulement les performances des dispositifs à base de GaN, mais contribuera également au domaine plus large de la technologie des semi-conducteurs. Cela pourrait ouvrir la voie à des systèmes électroniques plus efficaces, compacts et fiables à l’avenir.