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Nouvelles de l'industrie

Obtention d'une croissance de cristaux SiC de haute qualité grâce au contrôle du gradient de température lors de la phase de croissance initiale

Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur à large bande interdite qui a suscité une attention particulière ces dernières années en raison de ses performances exceptionnelles dans les applications haute tension et haute température. Cette étude explore systématiquement les différen......

Qu'est-ce que le recuit thermique

Le processus de recuit, également connu sous le nom de recuit thermique, est une étape cruciale dans la fabrication des semi-conducteurs.

Pourquoi utiliser le nettoyage par ultrasons dans la fabrication de semi-conducteurs

Lors du nettoyage des tranches, le nettoyage par ultrasons et le nettoyage mégasonique sont couramment utilisés pour éliminer les particules de la surface de la tranche.

L'étude sur la distribution de la résistivité électrique dans les cristaux 4H-SiC de type n

Le 4H-SiC, en tant que matériau semi-conducteur de troisième génération, est réputé pour sa large bande interdite, sa conductivité thermique élevée et son excellente stabilité chimique et thermique, ce qui le rend très précieux dans les applications haute puissance et haute fréquence.

Qu'est-ce que le système de four à croissance cristalline

Le four de croissance monocristalline est composé de six systèmes clés qui fonctionnent en harmonie pour garantir une croissance cristalline efficace et de haute qualité.

Infineon dévoile la première plaquette Power GaN de 300 mm au monde

Récemment, Infineon Technologies a annoncé le développement réussi de la première technologie de plaquette de nitrure de gallium (GaN) de puissance de 300 mm au monde.

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