Le carbure de silicium (SiC) joue un rôle important dans la fabrication de composants électroniques de puissance et de dispositifs haute fréquence en raison de ses excellentes propriétés électriques et thermiques. La qualité et le niveau de dopage des cristaux de SiC affectent directement les perfor......
En savoir plusDans le processus de croissance de monocristaux de SiC et d'AlN par la méthode de transport physique de vapeur (PVT), des composants tels que le creuset, le support de germe cristallin et l'anneau de guidage jouent un rôle essentiel. Au cours du processus de préparation du SiC, le cristal germe est ......
En savoir plusLe matériau du substrat SiC est le cœur de la puce SiC. Le processus de production du substrat est le suivant : après l'obtention du lingot de cristal de SiC par croissance monocristalline ; puis la préparation du substrat SiC nécessite un lissage, un arrondi, une découpe, un meulage (amincissement)......
En savoir plusLe carbure de silicium (SiC) est un matériau qui possède une stabilité thermique, physique et chimique exceptionnelle, présentant des propriétés qui vont au-delà de celles des matériaux conventionnels. Sa conductivité thermique est étonnante de 84 W/(m·K), ce qui est non seulement supérieur à celui ......
En savoir plusDans le domaine en évolution rapide de la fabrication de semi-conducteurs, même les plus petites améliorations peuvent faire une grande différence lorsqu'il s'agit d'obtenir des performances, une durabilité et une efficacité optimales. Une avancée qui suscite beaucoup de buzz dans l’industrie est l’......
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