Actuellement, de nombreux dispositifs semi-conducteurs utilisent des structures de dispositifs Mesa, qui sont principalement créées par deux types de gravure : la gravure humide et la gravure sèche. Bien que la gravure humide simple et rapide joue un rôle important dans la fabrication de dispositifs......
En savoir plusLes dispositifs d'alimentation en carbure de silicium (SiC) sont des dispositifs semi-conducteurs fabriqués à partir de matériaux en carbure de silicium, principalement utilisés dans les applications électroniques à haute fréquence, haute température, haute tension et haute puissance. Par rapport au......
En savoir plusLe carbure de silicium utilise généralement la méthode PVT, avec une température de plus de 2 000 degrés, un long cycle de traitement et un faible rendement, de sorte que le coût des substrats en carbure de silicium est très élevé.
En savoir plusEn tant que matériau semi-conducteur de troisième génération, le nitrure de gallium est souvent comparé au carbure de silicium. Le nitrure de gallium démontre toujours sa supériorité avec sa large bande interdite, sa tension de claquage élevée, sa conductivité thermique élevée, sa vitesse de dérive ......
En savoir plusLes matériaux GaN ont pris de l'importance après l'attribution du prix Nobel de physique 2014 pour les LED bleues. Initialement connus du public grâce aux applications de charge rapide dans l'électronique grand public, les amplificateurs de puissance et les dispositifs RF basés sur GaN sont égalemen......
En savoir plusDans les domaines de la technologie des semi-conducteurs et de la microélectronique, les concepts de substrat et d'épitaxie revêtent une importance capitale. Ils jouent un rôle essentiel dans le processus de fabrication des dispositifs semi-conducteurs. Cet article approfondira les différences entr......
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