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Nouvelles de l'industrie

Hétéroépitaxie du 3C-SiC : un aperçu

Le développement du 3C-SiC, un polytype important de carbure de silicium, reflète les progrès continus de la science des matériaux semi-conducteurs. Dans les années 1980, Nishino et al. a d'abord réalisé un film 3C-SiC de 4 µm d'épaisseur sur un substrat de silicium par dépôt chimique en phase vapeu......

Silicium monocristallin vs silicium polycristallin

Le silicium monocristallin et le silicium polycristallin ont chacun leurs propres avantages et scénarios applicables. Le silicium monocristallin convient aux produits électroniques et microélectroniques hautes performances en raison de ses excellentes propriétés électriques et mécaniques. Le siliciu......

Substrat et épitaxie

Dans le processus de préparation des plaquettes, il existe deux maillons essentiels : l'un est la préparation du substrat et l'autre est la mise en œuvre du processus d'épitaxie. Le substrat, une tranche soigneusement constituée d'un matériau monocristallin semi-conducteur, peut être directement int......

Plaquette de silicium

Le silicium est un matériau solide doté de certaines propriétés électriques semi-conductrices et d'une stabilité physique, et fournit un support de substrat pour le processus de fabrication ultérieur des circuits intégrés. C'est un matériau clé pour les circuits intégrés à base de silicium. Plus de ......

Coupe SiC

Le carbure de silicium (SiC) est très apprécié dans l'industrie des semi-conducteurs pour ses excellentes propriétés physiques et chimiques. Cependant, la dureté et la fragilité élevées du SiC posent des défis considérables à son traitement.

Flux de processus de base du substrat en carbure de silicium

Le substrat en carbure de silicium est un matériau monocristallin semi-conducteur composé de deux éléments, le carbone et le silicium. Il présente les caractéristiques d'une large bande interdite, d'une conductivité thermique élevée, d'une intensité de champ de claquage critique élevée et d'un taux ......

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