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Nouvelles de l'industrie

Méthode de croissance des cristaux GaN

Lors de la production de substrats monocristallins GaN de grande taille, le HVPE constitue actuellement le meilleur choix pour la commercialisation. Cependant, la concentration en porteurs arrière du GaN développé ne peut pas être contrôlée avec précision.

Monocristal GaN

La technologie des semi-conducteurs constitue l’épine dorsale de la civilisation moderne, transformant fondamentalement notre façon de vivre, de travailler et d’interagir avec le monde. Il a permis des progrès sans précédent dans divers domaines, notamment les technologies de l’information, l’énergi......

Céramique SiC : le matériau indispensable pour les composants de haute précision dans la fabrication de semi-conducteurs

La fabrication de semi-conducteurs, pierre angulaire du progrès technologique moderne, est constamment à la recherche de circuits intégrés plus petits, plus rapides et plus efficaces. Cette quête incessante nécessite des processus de fabrication de plus en plus précis et sophistiqués, où chaque étap......

Qu'est-ce que le degré de graphitisation ?

Le degré de graphitisation est une mesure essentielle utilisée pour évaluer à quel point les atomes de carbone sont proches de former une structure cristalline de graphite hexagonale étroitement tassée.

Processus de croissance de couches minces

Les films minces courants sont principalement divisés en trois catégories : les films minces semi-conducteurs, les films minces diélectriques et les films minces composés de métal/métal.

Hétéroépitaxie du 3C-SiC : un aperçu

Le développement du 3C-SiC, un polytype important de carbure de silicium, reflète les progrès continus de la science des matériaux semi-conducteurs. Dans les années 1980, Nishino et al. a d'abord réalisé un film 3C-SiC de 4 µm d'épaisseur sur un substrat de silicium par dépôt chimique en phase vapeu......

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