Nouvelles de l'industrie - Semicorex Advanced Material Technology Co., Ltd

Epitaxie SiC

Il existe deux types d'épitaxie : homogène et hétérogène. Afin de produire des dispositifs SiC avec une résistance spécifique et d'autres paramètres pour différentes applications, le substrat doit répondre aux conditions d'épitaxie avant que la production puisse commencer. La qualité de l'épitaxie a......

Gravure sèche vs gravure humide

Dans la fabrication des semi-conducteurs, la gravure est l’une des étapes majeures, avec la photolithographie et le dépôt de couches minces. Il s’agit d’éliminer les matériaux indésirables de la surface d’une plaquette à l’aide de méthodes chimiques ou physiques. Cette étape est réalisée après enduc......

Dislocation dans les cristaux de SiC

Le substrat SiC peut présenter des défauts microscopiques, tels que la luxation de la vis filetée (TSD), la luxation du bord du filetage (TED), la luxation du plan de base (BPD) et autres. Ces défauts sont causés par des écarts dans la disposition des atomes au niveau atomique.

À propos des défauts des cristaux de SiC - Micropipe

Le substrat SiC peut présenter des défauts microscopiques, tels que la luxation de la vis filetée (TSD), la luxation du bord du filetage (TED), la luxation du plan de base (BPD) et autres. Ces défauts sont causés par des écarts dans la disposition des atomes au niveau atomique. Les cristaux de SiC p......

Pourquoi choisir la méthode d’épitaxie en phase liquide ?

Par rapport à la méthode PVT, la méthode en phase liquide pour la croissance du SiC présente les avantages suivants :

Qu’est-ce que l’épitaxie en phase liquide ?

La méthode en phase liquide est plus proche des conditions d’équilibre thermodynamique et permet de faire croître des cristaux de SiC de meilleure qualité.