La céramique de carbure de silicium (SiC) est un type de matériau céramique avancé connu pour ses propriétés exceptionnelles et sa large gamme d'applications. Il est composé d'atomes de silicium (Si) et de carbone (C) disposés dans une structure de réseau cristallin, ce qui donne un matériau dur et ......
En savoir plusUne tranche de carbure de silicium (SiC) de type P est un substrat semi-conducteur qui est dopé avec des impuretés pour créer une conductivité de type P (positive). Le carbure de silicium est un matériau semi-conducteur à large bande interdite qui offre des propriétés électriques et thermiques excep......
En savoir plusLe suscepteur en graphite est l'une des pièces essentielles de l'équipement MOCVD, il est le support et le réchauffeur du substrat de plaquette. Ses propriétés de stabilité thermique et d'uniformité thermique jouent un rôle décisif dans la qualité de la croissance épitaxiale de la plaquette, qui dét......
En savoir plusDans le domaine de la haute tension, en particulier pour les dispositifs haute tension supérieurs à 20 000 V, la technologie épitaxiale SiC fait encore face à plusieurs défis. L'une des principales difficultés est d'obtenir une uniformité, une épaisseur et une concentration de dopage élevées dans la......
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