Le carbure de silicium (SiC) est une substance inorganique. La quantité de carbure de silicium d’origine naturelle est très faible. C'est un minéral rare appelé moissanite. Le carbure de silicium utilisé dans la production industrielle est principalement synthétisé artificiellement.
En savoir plusDans l'industrie des semi-conducteurs, les couches épitaxiales jouent un rôle crucial en formant des films minces monocristallins spécifiques sur un substrat de tranche, collectivement appelés tranches épitaxiales. En particulier, les couches épitaxiales de carbure de silicium (SiC) cultivées sur de......
En savoir plusLa croissance épitaxiale fait référence au processus de croissance d’une couche monocristalline cristallographiquement bien ordonnée sur un substrat. D'une manière générale, la croissance épitaxiale implique la culture d'une couche cristalline sur un substrat monocristallin, la couche développée par......
En savoir plusRécemment, l’industrie des semi-conducteurs a continué à accorder une attention croissante à la technologie du nitrure de gallium (GaN). En raison de ses excellentes propriétés électroniques, les dispositifs en nitrure de gallium ont des applications importantes dans de nombreux domaines de haute te......
En savoir plusÀ mesure que l’acceptation mondiale des véhicules électriques augmente progressivement, le carbure de silicium (SiC) connaîtra de nouvelles opportunités de croissance au cours de la prochaine décennie. Il est prévu que les fabricants de semi-conducteurs de puissance et les opérateurs de l’industrie ......
En savoir plusEn tant que matériau semi-conducteur à large bande interdite (WBG), la différence d'énergie plus large du SiC lui confère des propriétés thermiques et électroniques plus élevées que celles du Si traditionnel. Cette fonctionnalité permet aux appareils électriques de fonctionner à des températures, fr......
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