Nouvelles

Qu'est-ce qu'une tranche de SiC de type P ?

Une tranche de carbure de silicium (SiC) de type P est un substrat semi-conducteur qui est dopé avec des impuretés pour créer une conductivité de type P (positive). Le carbure de silicium est un matériau semi-conducteur à large bande interdite qui offre des propriétés électriques et thermiques excep......

Pourquoi choisir des suscepteurs en graphite revêtus de SiC ?

Le suscepteur en graphite est l'une des pièces essentielles de l'équipement MOCVD, il est le support et le réchauffeur du substrat de plaquette. Ses propriétés de stabilité thermique et d'uniformité thermique jouent un rôle décisif dans la qualité de la croissance épitaxiale de la plaquette, qui dét......

Quel est le procédé d'épitaxie SiC ?

Dans le domaine de la haute tension, en particulier pour les dispositifs haute tension supérieurs à 20 000 V, la technologie épitaxiale SiC fait encore face à plusieurs défis. L'une des principales difficultés est d'obtenir une uniformité, une épaisseur et une concentration de dopage élevées dans la......

Forte croissance du marché des suscepteurs graphite revêtus SiC

MOCVD est l'équipement clé

Fonds sur des projets de semi-conducteurs

Chaque pays est conscient de l'importance des puces et accélère désormais la construction de son propre écosystème de chaîne d'approvisionnement de fabrication de puces pour éviter un autre problème de pénurie de puces. Mais les fonderies avancées sans les concepteurs de puces de nouvelle génération......