Le procédé CVD pour l'épitaxie de plaquettes de SiC implique le dépôt de films de SiC sur un substrat de SiC à l'aide d'une réaction en phase gazeuse. Les gaz précurseurs SiC, typiquement le méthyltrichlorosilane (MTS) et l'éthylène (C2H4), sont introduits dans une chambre de réaction où le substrat......
En savoir plusLe Japon a récemment restreint les exportations de 23 types d'équipements de fabrication de semi-conducteurs. L'annonce a eu des répercussions dans l'industrie, car cette décision devrait avoir un impact significatif sur les chaînes d'approvisionnement mondiales pour la fabrication de semi-conducteu......
En savoir plusAlors qu'il existe actuellement une offre excédentaire de semi-conducteurs de mémoire en raison d'une économie mondiale morose, les puces analogiques pour les applications automobiles et industrielles restent rares. Les délais de livraison de ces puces analogiques peuvent atteindre 40 semaines, cont......
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