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Nouvelles de la société

Plaquettes épitaxiales de nitrure de gallium : une introduction au processus de fabrication

La croissance de tranches épitaxiales en nitrure de gallium (GaN) est un processus complexe, utilisant souvent une méthode en deux étapes. Cette méthode implique plusieurs étapes critiques, notamment la cuisson à haute température, la croissance de la couche tampon, la recristallisation et le recuit......

Quelle est la différence entre les plaquettes épitaxiales et diffuses

Les plaquettes épitaxiales et diffusées sont des matériaux essentiels dans la fabrication de semi-conducteurs, mais elles diffèrent considérablement par leurs processus de fabrication et leurs applications cibles. Cet article examine les principales distinctions entre ces types de plaquettes.

Quels sont les avantages et les inconvénients de la gravure sèche et de la gravure humide ?

La gravure est un processus essentiel dans la fabrication des semi-conducteurs. Ce processus peut être classé en deux types : la gravure sèche et la gravure humide. Chaque technique a ses propres avantages et limites, il est donc crucial de comprendre les différences entre elles. Alors, comment choi......

Matériau de base pour la croissance du SiC : revêtement en carbure de tantale

Les semi-conducteurs actuels de troisième génération sont principalement basés sur le carbure de silicium, les substrats représentant 47 % des coûts des dispositifs et l'épitaxie 23 %, totalisant environ 70 % et constituant la partie la plus cruciale de l'industrie de fabrication de dispositifs SiC.

Avantages des céramiques de carbure de silicium dans l'industrie des fibres optiques

Les céramiques de carbure de silicium offrent de nombreux avantages dans l'industrie des fibres optiques, notamment une stabilité à haute température, un faible coefficient de dilatation thermique, un faible seuil de perte et de dommage, une résistance mécanique, une résistance à la corrosion, une b......

Un bref historique du carbure de silicium et des applications des revêtements en carbure de silicium

L'histoire du carbure de silicium (SiC) remonte à 1891, lorsqu'Edward Goodrich Acheson l'a découvert accidentellement alors qu'il tentait de synthétiser des diamants artificiels. Acheson a chauffé un mélange d'argile (aluminosilicate) et de coke en poudre (carbone) dans un four électrique. Au lieu d......

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