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Nouvelles de la société

L'importance des matériaux graphites poreux pour la croissance des cristaux de SiC

Le composant du four de croissance cristalline SiC de Semicorex, le baril de graphite poreux, apportera trois avantages majeurs et pourra renforcer efficacement la compétitivité des substrats SiC nationaux :

La première entreprise d'industrialisation de substrats en oxyde de gallium de 6 pouces

Récemment, notre société a annoncé qu'elle avait développé avec succès un monocristal d'oxyde de gallium de 6 pouces en utilisant la méthode de coulée, devenant ainsi la première entreprise industrielle nationale à maîtriser la technologie de préparation de substrat monocristallin d'oxyde de gallium......

Matériau d'isolation du champ thermique

Le processus de croissance du silicium monocristallin se produit principalement dans un champ thermique, où la qualité de l'environnement thermique a un impact significatif sur la qualité des cristaux et l'efficacité de la croissance. La conception du champ thermique joue un rôle central dans la for......

Qu'est-ce qu'un suscepteur en graphite revêtu de SiC ?

Afin de présenter le suscepteur en graphite revêtu de SiC, il est important de comprendre son application. Lors de la fabrication de dispositifs, des couches épitaxiales supplémentaires doivent être construites sur certains substrats de tranches.

Quels sont les défis de la production de substrats en carbure de silicium ?

Le carbure de silicium (SiC) est un matériau qui possède une énergie de liaison élevée, similaire à d'autres matériaux durs comme le diamant et le nitrure de bore cubique. Cependant, l’énergie de liaison élevée du SiC rend difficile sa cristallisation directe en lingots via les méthodes de fusion tr......

Qu'est-ce que le carbure de silicium (SiC) ?

Les matériaux semi-conducteurs peuvent être divisés en trois générations selon la séquence temporelle. La première génération de germanium, de silicium et d'autres monomatériaux courants, caractérisée par une commutation pratique, généralement utilisée dans les circuits intégrés. La deuxième générat......

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