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Creuset en graphite poreux

Creuset en graphite poreux

Semicorex fournit un creuset en graphite poreux de haute qualité avec un service personnalisé, notre matériau en graphite poreux est de première qualité avec des spécifications élevées. Semicorex s'engage à fournir des produits de qualité à des prix compétitifs, nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

Un creuset en graphite poreux joue un rôle essentiel dans le processus de croissance de monocristaux de carbure de silicium (SiC), une étape cruciale dans la fabrication de semi-conducteurs. Ce creuset spécialisé est conçu pour résister à des températures extrêmes et à des environnements chimiques difficiles, ce qui en fait un récipient idéal pour les réactions à haute température impliquées dans la croissance des cristaux de SiC.

Le creuset est généralement fabriqué à partir d'un matériau graphite de haute pureté, connu pour son excellente conductivité thermique, son inertie chimique et sa résistance mécanique. Le terme « poreux » fait référence à la création intentionnelle d'une structure perméable au sein du graphite, permettant un flux contrôlé de gaz et de liquides pendant le processus de croissance cristalline.

Le processus de croissance de monocristaux de SiC implique la sublimation de matériaux sources de silicium et de carbone dans un four à haute température. Le creuset en graphite poreux agit comme un conteneur pour ces matériaux sources, fournissant un environnement stable et contrôlé pour que la croissance cristalline se produise. Sa structure poreuse permet le transport efficace des gaz précurseurs et facilite l'élimination des sous-produits générés lors du processus de croissance.

La capacité du creuset à maintenir sa stabilité et à résister à des conditions extrêmes est essentielle pour obtenir des monocristaux SiC de haute qualité, qui font partie intégrante de la production de dispositifs semi-conducteurs. La porosité du creuset contribue à optimiser le flux de gaz et la répartition de la chaleur, contribuant ainsi à la croissance uniforme de gros cristaux de SiC de haute qualité.



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