Pièces demi-lune revêtues de SiC

Les pièces Halfmoon, recouvertes de carbure de silicium (SiC) de première qualité, sont une caractéristique essentielle des processus d'épitaxie en tant que supports de tranche et conducteurs thermiques. Leur forme spécialisée en demi-lune offre une méthode d’assemblage sous une forme cylindrique qui sert de fixation dans les réacteurs épitaxiaux. Dans l'environnement de la chambre ou du réacteur, les tranches doivent être sécurisées mais également chauffées uniformément pendant que le dépôt critique de la couche mince a lieu. Les pièces Halfmoon revêtues de SiC fournissent juste la bonne quantité de support mécanique, de stabilité thermique et de durabilité chimique pour effectuer ces tâches.

Graphiteest le matériau de substrat pour les pièces Halfmoon et choisi en raison de sa très bonne conductivité thermique et de son poids et de sa résistance relativement faibles. La surface du graphite est recouverte d'une surface dense en carbure de silicium déposé chimiquement en phase vapeur (CVD SiC) de haute pureté pour être robuste face aux environnements agressifs associés à la croissance épitaxiale. Le revêtement SiC améliore la dureté de surface des pièces et offre une résistance aux gaz réactifs tels que l'hydrogène et le chlore, offrant une bonne stabilité à long terme et une contamination très limitée pendant le traitement. Le graphite et le SiC travaillent ensemble dans les pièces Halfmoon pour fournir le bon équilibre entre résistance mécanique et propriétés chimiques et thermiques.

L'un des rôles les plus essentiels duRevêtement SiCHalfmoon Parts est le support des plaquettes. Les tranches doivent être plates et stables tout au long de l'épitaxie afin de faciliter une croissance uniforme de la structure de réseau dans les couches cristallines. Tout degré de flexion ou d'instabilité dans les pièces de support peut introduire des couches défectueuses dans l'épitaxie et finalement avoir un impact sur les performances du dispositif. Les pièces Halfmoon sont soigneusement fabriquées pour une stabilité dimensionnelle ultime à des températures élevées afin de limiter le potentiel de déformation et de fournir un placement approprié des plaquettes sous n'importe quelle recette épitaxiale donnée. Cette intégrité structurelle se traduit par une meilleure qualité épitaxiale et un meilleur rendement.

Une fonction tout aussi importante des pièces Halfmoon est la conduction thermique. Dans une chambre épitaxiale, une conductivité thermique uniforme et stable est essentielle pour obtenir des films minces de haute qualité. Le noyau en graphite est parfaitement adapté à la conductivité thermique afin de faciliter le processus de chauffage et de faciliter une répartition homogène de la température. Le revêtement SiC protège le noyau de la fatigue thermique, de la dégradation et de la contamination au cours du processus. Par conséquent, les tranches peuvent être chauffées uniformément afin d'obtenir un transfert de température uniforme et de favoriser le développement de couches épitaxiales sans défauts. En d’autres termes, pour les processus de croissance de couches minces qui exigent des conditions thermiques spécifiques, les pièces Halfmoon revêtues de SiC offrent à la fois efficacité et fiabilité. La longévité est un aspect clé des composants. L'épitaxie consiste souvent en un cycle thermique à des températures élevées dépassant celles que les matériaux de construction courants peuvent supporter sans dégradation.

La propreté est un autre avantage important. L'épitaxie étant très sensible à la contamination, l'utilisation du revêtement CVD SiC d'une pureté exceptionnellement élevée élimine la contamination de la chambre de réaction. Cela minimise la génération de particules et protège les plaquettes des défauts. La réduction continue de la géométrie des dispositifs et le rétrécissement continu des exigences du processus d'épitaxie rendent le contrôle de la contamination crucial pour garantir une qualité de production constante.

Les pièces Halfmoon revêtues de SiC Semicorex répondent non seulement aux problèmes de propreté, elles sont également flexibles et peuvent être ajustées pour s'adapter à diverses configurations de systèmes épitaxiaux. Ils peuvent également être fabriqués dans certaines dimensions, épaisseurs de revêtement et conceptions/tolérances qui s'adaptent hypothétiquement à l'équipement exigeant. Cette flexibilité contribue à garantir que les équipements existants peuvent s'intégrer de manière transparente et maintenir la compatibilité de processus la plus favorable.