Sic-Sic enrobés de suscepteurs

Les suscepteurs de gaufrettes en revêtement semi-orecorex sont conçus pour répondre aux exigences urgentes pour la fabrication de semi-conducteurs avancés, en particulier dans les systèmes de dépôt de films ultrathin sans pression. Conçues par précision, ils offrent des performances thermiques supérieures, une durabilité chimique et une stabilité mécanique - essentiel pour les environnements de nouvelle génération pour le traitement des couches minces.

Dans les techniques de dépôt qui n'utilisent pas de pression, comme le dépôt de couche atomique (ALD), le dépôt chimique de vapeur (CVD) et le dépôt physique de vapeur (PVD) pour les films très minces, les exigences majeures sont une distribution de température uniforme et une stabilité de surface. Le caractère unique de notre conception de suscepteurs réside dans le fait qu'il incorpore un substrat poreux de haute pureté qui lui permet de travailler efficacement sous vide ou de conditions proches de vacuum réduisant ainsi le stress thermique et fournissant un transfert d'énergie uniforme sur la surface de la plaquette.

La structure multi-trou est une innovation clé: elle aide à réduire la masse thermique, favorise même la distribution du débit de gaz et atténue les fluctuations de pression qui pourraient autrement compromettre l'uniformité du dépôt. Cette structure contribue également à une augmentation thermique plus rapide et à des cycles de recharge, améliorant le débit global et le contrôle des processus.

Nous offrons une gamme de tailles de suscepteur, de géométries et de niveaux de porosité pour correspondre à divers conceptions de systèmes de dépôt et dimensions de la tranche. La nature modulaire de notre processus de fabrication permet à la personnalisation de répondre aux exigences thermiques, mécaniques et chimiques spécifiques du processus de film mince du client.

Le suscepteur de la plaque en revêtement semicoréx SIC est une solution haute performance adaptée aux défis uniques du dépôt de film ultrathin sans pression. Sa combinaison de conception structurelle poreuse et de revêtement SIC robuste fournit un support optimal pour les processus de fabrication de semi-conducteurs de haute précision, permettant une meilleure qualité de film, des rendements plus élevés et des coûts opérationnels plus faibles.