Bague de mise au point SiC

La bague de mise au point Semicorex SiC est un composant en forme d'anneau conçu avec précision, fabriqué en carbure de silicium de haute pureté. La bague de mise au point SiC est conçue pour les applications avancées de traitement des semi-conducteurs. Le carbure de silicium de haute pureté offre d'excellentes performances en termes de stabilité thermique (point de fusion élevé), de durabilité mécanique (dureté élevée) et de propriétés de conduction électrique, ce qui est essentiel pour répondre aux spécifications de nombreuses technologies de fabrication de plaquettes de nouvelle génération. Les bagues de mise au point SiC sont des composants présents dans les composants des chambres de gravure et de dépôt au plasma et jouent un rôle essentiel dans le contrôle de la distribution du plasma, l'obtention de l'uniformité des plaquettes et le rendement de la production de masse.

La pureté du matériau et les performances électriques de la bague de mise au point SiC sont parmi les facteurs les plus critiques qui définissent ce composant et le différencient des matériaux céramiques. Haute puretécarbure de siliciumdiffère des matériaux céramiques traditionnels, car il offre une combinaison de 

dureté ainsi que résistance à de nombreux produits chimiques et propriétés électriques uniques. Plus important encore, le carbure de silicium de haute pureté peut être conçu à l'aide de dopants et de méthodes de traitement pour produire les niveaux de performances conductrices ou insultantes les plus appropriés avec l'équilibre semi-conducteur idéal pour interagir avec le plasma, permettant des performances stables dans des environnements à haute énergie où l'accumulation de charge et le déséquilibre électrique sont plus susceptibles de provoquer des erreurs de processus.

En raison de l’effet de bord du plasma, la densité est plus élevée au centre et plus faible sur les bords. La bague de focalisation, de par sa forme annulaire et les propriétés du matériau CVD SiC, génère un champ électrique spécifique. Ce champ guide et confine les particules chargées (ions et électrons) du plasma à la surface de la tranche, en particulier au niveau des bords. Cela augmente efficacement la densité du plasma au bord, la rapprochant ainsi de celle du centre. Cela améliore considérablement l'uniformité de gravure sur la tranche, réduit les dommages sur les bords et augmente le rendement.

La pureté du matériau et les performances électriques de la bague de mise au point SiC sont parmi les facteurs les plus critiques qui définissent ce composant et le différencient des matériaux céramiques. Haute pureté

Les applications de SiC Focus Ring couvrent un large éventail de fabrication de semi-conducteurs : DRAM, flash NAND, dispositifs logiques et nouvelles technologies de semi-conducteurs de puissance. À mesure que les géométries des dispositifs rétrécissent et continuent de progresser dans les nœuds de processus, le besoin de composants de chambre stables et hautement fiables tels que la bague de mise au point SiC devient critique. La bague de mise au point SiC permet un contrôle précis du plasma et améliore constamment la qualité des plaquettes, renforçant ainsi les ambitions de l'industrie vers des dispositifs électroniques toujours plus petits, plus rapides et efficaces. La bague de mise au point Semicorex SiC définit le point d'intersection de la science des matériaux, de l'ingénierie de précision et de l'évolution des processus de semi-conducteurs. La bague de mise au point SiC présente une excellente stabilité thermique, une résistance chimique supérieure et une conductivité électrique proche de la spécificité. Ces caractéristiques en font un élément essentiel pour garantir la fiabilité et le rendement des processus.