Filament chauffant SiC

Le filament chauffant Semicorex SiC, un élément chauffant sous vide poussé développé pour le traitement des plaquettes dans la fabrication de nouveaux semi-conducteurs, est un élément chauffant innovant conçu avec unnoyau en graphiteet de haute puretérevêtement en carbure de silicium. Le filament spécial utilise la conductivité thermique du graphite ainsi que la durabilité et la protection du SiC, ce qui donne lieu à un chauffage stable et économe en énergie dans le temps. Le filament chauffant SiC est conçu pour chauffer les tranches de manière uniforme et atteindre les spécifications, ce qui en fait un excellent composant pour le traitement des semi-conducteurs à haute température, tel que l'épitaxie, la diffusion et le recuit.

Le filament chauffant SiC est fabriqué à partir de graphite de haute pureté en raison des propriétés thermiques et des propriétés électriques de qualité du graphite. Le graphite assure la fonction de chauffage principale permettant une réponse rapide et un chauffage efficace sous charge électrique. Le revêtement SiC dense de haute pureté protège le filament des sources possibles de contamination. Le revêtement SiC protège la tranche de la contamination chimique et de l'oxydation, ainsi que des particules présentes dans la chambre, prolonge la durée de vie utile du filament et crée un environnement de chambre propre.

für die Kristallzüchtung in der Wafer-Herstellungsindustrie besteht aus einer dreischichtigen Verbundstruktur. Diese dreischichtige Struktur ermöglicht es dem Quarzschmelztiegel, seine Form und Integrität auch dann beizubehalten, wenn er während des Kristallziehprozesses unterschiedlich starken Temperaturgradientenänderungen ausgesetzt ist. Im Vergleich zur herkömmlichen zweischichtigen Struktur bietet die dreischichtige Struktur eine bessere mechanische Festigkeit, ein besseres Wärmemanagement und eine bessere Kosteneffizienz sowie verbesserte Wärmeübertragungseigenschaften. 

Le filament chauffant SiC est personnalisable, la valeur de résistance électrique de chaque filament peut être personnalisée en fonction de son outil de processus et de son environnement d'exploitation. Cette personnalisation permet à la technologie du carbure de silicium de contrôler la valeur de résistance de la géométrie du filament, l'épaisseur du revêtement et les propriétés du matériau. Un filament chauffant SiC peut s'adapter à de nombreux modèles de fours différents, avec de nombreuses tailles de tranches et recettes de processus différentes. Ceci est particulièrement avantageux pour les fabricants de semi-conducteurs, car cela permet aux processus actuels de fonctionner plus efficacement et de maintenir la compatibilité avec les systèmes déjà en place.  La troisième caractéristique de la performance est la durabilité. Dans les processus de semi-conducteurs à haute température, l’élément chauffant est exposé à des environnements chimiques très agressifs et à des cycles thermiques répétés.

Les applications du filament chauffant Semicorex SiC couvrent une vaste gamme de processus de fabrication de dispositifs semi-conducteurs. Lors de la croissance épitaxiale, par exemple, l'élément chauffant fournit une température de substrat stable et uniforme pour le dépôt de films cristallins de haute qualité.