Plaque de Si épitaxiale monocristalline

Un attribut primordial de la plaque de Si épitaxiale monocristalline réside dans sa densité supérieure. L'intégration d'un substrat en graphite avec un revêtement en carbure de silicium produit une densité complète capable de protéger contre les conditions rigoureuses rencontrées dans les environnements corrosifs et à haute température. De plus, le suscepteur recouvert de carbure de silicium, conçu pour la synthèse de monocristaux, présente un profil de surface exceptionnellement uniforme – un déterminant essentiel pour la production durable de tranches de qualité irréprochable.

L’atténuation des écarts de dilatation thermique entre le noyau en graphite et son revêtement en carbure de silicium est également essentielle à la conception de notre produit. Une telle innovation augmente nettement la robustesse de l'adhésif, s'affranchissant ainsi des phénomènes de fissures et de stratification. En synchronisation avec cela, les plaques de Si épitaxiales monocristallines présentent une conductivité thermique élevée, associée à une propension louable à une répartition uniforme de la chaleur – des facteurs qui jouent un rôle déterminant dans l’obtention d’une homogénéité de température pendant le cycle de production.

De plus, la plaque épitaxiale de Si monocristallin démontre une résilience louable à la dégradation oxydative et corrosive à des températures élevées, ce qui soutient sa longévité et sa fiabilité. Son seuil d'endurance thermique est souligné par un point de fusion important, assurant ainsi sa capacité à supporter le milieu thermique exigeant intrinsèque à une fabrication compétente de semi-conducteurs.