Wafer Ltoi

Semicorex propose une plaquette LTOI de haute qualité, conçue pour des applications avancées dans les filtres RF, les dispositifs optiques et les technologies MEMS. Nos plates-formes comportent une couche de lithium santalate (LT) avec une plage d'épaisseur de 0,3 à 50 µm, garantissant des performances piézoélectriques exceptionnelles et une stabilité thermique.

Disponibles en tailles de 6 pouces et 8 pouces, ces plaquettes prennent en charge diverses orientations cristallines, y compris les coupes X, Z et Y-42, fournissant une polyvalence pour différentes exigences de l'appareil. Le substrat isolant peut être personnalisé à Si, sic, saphir,

 Spinel, ou Quartz, optimisant les performances pour des applications spécifiques.

Le cristal de lithium (LT, LITAO3) est un important matériau cristallin multifonctionnel avec d'excellents effets piézoélectriques, ferroélectriques, acousto-optiques et électro-optiques. Les cristaux LT de qualité acoustique qui répondent aux applications piézoélectriques peuvent être utilisés pour préparer des résonateurs acoustiques à large bande à haute fréquence, des transducteurs, des lignes de retard, des filtres et d'autres appareils, qui sont utilisés dans les communications mobiles, les communications par satellite, le traitement du signal numérique, la télévision, la radiodiffusion, le radar, la sensibilité à la télécommande et les autres terrains civiles, ainsi que les comptages électroniques, les fusions, les plans civiques, ainsi que les compteurs électroniques.

Les dispositifs d'onde acoustique de surface traditionnels (SAW) sont préparés sur des blocs monocristallins LT, et les appareils sont grands et non compatibles avec les processus CMOS. L'utilisation de films minces monocristallins piézoélectriques à haute performance est une bonne option pour améliorer l'intégration des dispositifs SAW et réduire les coûts. Les dispositifs de scie basés sur les films minces monocristallins piézoélectriques peuvent non seulement améliorer la capacité d'intégration des dispositifs de scie en utilisant des matériaux semi-conducteurs comme substrats, mais également améliorer la vitesse de transmission des ondes sonores en sélectionnant des substrats en silicium, saphir ou en diamant à grande vitesse. Ces substrats peuvent supprimer la perte d'ondes en transmission en guidant l'énergie à l'intérieur de la couche piézoélectrique. Par conséquent, le choix du processus monocristalle piézoélectrique droit et le processus de préparation est le facteur clé pour obtenir des dispositifs SAW à haute performance, à faible coût et hautement intégrés.

Afin de répondre aux besoins urgents de la prochaine génération de dispositifs acoustiques piézoélectriques pour l'intégration, la miniaturisation, la haute fréquence et la grande bande passante sous la tendance de développement de l'intégration et de la miniaturisation de RF Front-end, la technologie de liaison Smart-Cut pour préparer un nouveau film LT en cas de liaison (CIS), qui a un nouveau film en cristaux (LoI), la technologie de la liaison), ce qui peut être utilisé pour une seule élément LT (LOI). Solution et solution pour le développement de performances plus élevées et de dispositifs de traitement du signal RF à moindre coût. LTOI est une technologie révolutionnaire. Les dispositifs de scie basés sur LOI Wafer ont les avantages de petite taille, de grande bande passante, de fréquence de fonctionnement élevée et d'intégration IC, et ont de larges perspectives d'application de marché.

La technologie de décapage d'implantation à ions cristaux (CIS) peut préparer des matériaux à couches minces monocristallines de haute qualité avec une épaisseur submicronique et présente les avantages du processus de préparation contrôlable, des paramètres de processus réglables tels que l'énergie d'implantation ionique, la dose d'implantation et la température de recuit. À mesure que la technologie CIS mûrit, la technologie de coupe intelligente basée sur la technologie CIS et la technologie de liaison à Wafer peut non seulement améliorer le rendement des matériaux de substrat, mais aussi réduire davantage les coûts grâce à une utilisation multiple des matériaux. La figure 1 est un diagramme schématique de l'implantation ionique et de la liaison et du pelage des plaquettes. La technologie de coupe intelligente a été développée pour la première fois par SOITEC en France et appliquée à la préparation de WALFERS de haute qualité sur les siliciums sur isolant (SOI) [18]. La technologie de coupe intelligente peut non seulement produire des plaquettes SOI de haute qualité et à faible coût, mais également contrôler l'épaisseur de Si sur la couche isolante en modifiant l'énergie d'implantation ionique. Par conséquent, il a un fort avantage dans la préparation des matériaux SOI. De plus, la technologie de coupe intelligente a également la capacité de transférer une variété de films monocristallins à différents substrats. Il peut être utilisé pour préparer des matériaux à couches minces multicouches avec des fonctions et des applications spéciales, telles que la construction de films LT sur des substrats SI et la préparation des matériaux à couches minces piézoélectriques de haute qualité sur le silicium (SI). Par conséquent, cette technologie est devenue un moyen efficace de préparer des films monocristallés de lithium de haute qualité.