Plaquette SOI silicium sur isolant

La plaquette SOI Silicon On Insulator, également connue sous le nom de plaquette Silicon-On-Insulator, est un type de plaquette semi-conductrice largement utilisée dans la fabrication de circuits intégrés (CI) avancés. Il offre plusieurs avantages par rapport aux plaquettes de silicium en vrac traditionnelles, ce qui en fait un choix populaire dans l'industrie des semi-conducteurs.

La structure d'une plaquette de silicium sur isolant SOI se compose de trois couches principales : une fine couche de silicium (couche de dispositif), une couche de matériau isolant (boîte) et une couche de base en silicium en vrac (poignée).

La couche isolante d’un SOI Wafer Silicon On Insulator offre plusieurs avantages. Premièrement, il réduit la capacité parasite entre les transistors, ce qui se traduit par des performances améliorées du circuit et un fonctionnement à plus grande vitesse. Cette capacité réduite contribue également à réduire la consommation d'énergie, ce qui rend les dispositifs SOI adaptés aux applications économes en énergie.

De plus, la couche isolante assure une isolation électrique entre les dispositifs actifs, réduisant ainsi la diaphonie et améliorant l'intégrité du signal dans les circuits haute fréquence. Ceci est particulièrement avantageux dans les applications radiofréquences (RF) et analogiques où la qualité du signal est critique.

Un autre avantage des SOI Wafer Silicon On Insulator est leur dureté aux radiations. La couche isolante agit comme un bouclier naturel contre les effets induits par les radiations, rendant les dispositifs SOI plus résistants aux dommages causés par les radiations. Cette propriété rend la technologie SOI adaptée aux environnements aérospatiaux, nucléaires et autres environnements à fort rayonnement.