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Céramique SiC : le matériau indispensable pour les composants de haute précision dans la fabrication de semi-conducteurs

La fabrication de semi-conducteurs, pierre angulaire du progrès technologique moderne, est constamment à la recherche de circuits intégrés plus petits, plus rapides et plus efficaces. Cette quête incessante nécessite des processus de fabrication de plus en plus précis et sophistiqués, où chaque étap......

Céramiques de carbure de silicium et leurs divers procédés de fabrication

Cet article fournit un aperçu complet des différentes techniques de fabrication utilisées pour produire des céramiques SiC denses, mettant en évidence leurs caractéristiques et applications uniques.

Qu'est-ce que le degré de graphitisation ?

Le degré de graphitisation est une mesure essentielle utilisée pour évaluer à quel point les atomes de carbone sont proches de former une structure cristalline de graphite hexagonale étroitement tassée.

Démystifier la technologie des mandrins électrostatiques (ESC) dans la manipulation des plaquettes

Les mandrins électrostatiques (ESC) sont devenus indispensables dans la fabrication de semi-conducteurs et la production d'écrans plats, offrant une méthode sans dommage et hautement contrôlable pour maintenir et positionner des tranches et des substrats délicats pendant les étapes de traitement cri......

Processus de croissance de couches minces

Les films minces courants sont principalement divisés en trois catégories : les films minces semi-conducteurs, les films minces diélectriques et les films minces composés de métal/métal.

Hétéroépitaxie du 3C-SiC : un aperçu

Le développement du 3C-SiC, un polytype important de carbure de silicium, reflète les progrès continus de la science des matériaux semi-conducteurs. Dans les années 1980, Nishino et al. a d'abord réalisé un film 3C-SiC de 4 µm d'épaisseur sur un substrat de silicium par dépôt chimique en phase vapeu......

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