Le carbure de silicium (SiC) joue un rôle important dans la fabrication de composants électroniques de puissance et de dispositifs haute fréquence en raison de ses excellentes propriétés électriques et thermiques. La qualité et le niveau de dopage des cristaux de SiC affectent directement les perfor......
En savoir plusLe composant du four de croissance cristalline SiC de Semicorex, le baril de graphite poreux, apportera trois avantages majeurs et pourra renforcer efficacement la compétitivité des substrats SiC nationaux :
En savoir plusDans le processus de croissance de monocristaux de SiC et d'AlN par la méthode de transport physique de vapeur (PVT), des composants tels que le creuset, le support de germe cristallin et l'anneau de guidage jouent un rôle essentiel. Au cours du processus de préparation du SiC, le cristal germe est ......
En savoir plusLe matériau du substrat SiC est le cœur de la puce SiC. Le processus de production du substrat est le suivant : après l'obtention du lingot de cristal de SiC par croissance monocristalline ; puis la préparation du substrat SiC nécessite un lissage, un arrondi, une découpe, un meulage (amincissement)......
En savoir plusRécemment, notre société a annoncé qu'elle avait développé avec succès un monocristal d'oxyde de gallium de 6 pouces en utilisant la méthode de coulée, devenant ainsi la première entreprise industrielle nationale à maîtriser la technologie de préparation de substrat monocristallin d'oxyde de gallium......
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