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Connaître le MOCVD

MOCVD est une nouvelle technologie de croissance épitaxiale en phase vapeur développée sur la base de la croissance épitaxiale en phase vapeur (VPE).

Applications des composants en graphite revêtus de TaC

Dans le processus de croissance de monocristaux de SiC et d'AlN par la méthode de transport physique de vapeur (PVT), des composants tels que le creuset, le support de germe cristallin et l'anneau de guidage jouent un rôle essentiel. Au cours du processus de préparation du SiC, le cristal germe est ......

Processus de découpe et de meulage du substrat

Le matériau du substrat SiC est le cœur de la puce SiC. Le processus de production du substrat est le suivant : après l'obtention du lingot de cristal de SiC par croissance monocristalline ; puis la préparation du substrat SiC nécessite un lissage, un arrondi, une découpe, un meulage (amincissement)......

La première entreprise d'industrialisation de substrats en oxyde de gallium de 6 pouces

Récemment, notre société a annoncé qu'elle avait développé avec succès un monocristal d'oxyde de gallium de 6 pouces en utilisant la méthode de coulée, devenant ainsi la première entreprise industrielle nationale à maîtriser la technologie de préparation de substrat monocristallin d'oxyde de gallium......

Différences entre les cristaux de SiC de structures différentes

Le carbure de silicium (SiC) est un matériau qui possède une stabilité thermique, physique et chimique exceptionnelle, présentant des propriétés qui vont au-delà de celles des matériaux conventionnels. Sa conductivité thermique est étonnante de 84 W/(m·K), ce qui est non seulement supérieur à celui ......

Qu'est-ce qu'un revêtement TaC sur graphite ?

Dans le domaine en évolution rapide de la fabrication de semi-conducteurs, même les plus petites améliorations peuvent faire une grande différence lorsqu'il s'agit d'obtenir des performances, une durabilité et une efficacité optimales. Une avancée qui suscite beaucoup de buzz dans l’industrie est l’......

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