La croissance de tranches épitaxiales en nitrure de gallium (GaN) est un processus complexe, utilisant souvent une méthode en deux étapes. Cette méthode implique plusieurs étapes critiques, notamment la cuisson à haute température, la croissance de la couche tampon, la recristallisation et le recuit......
En savoir plusLes plaquettes épitaxiales et diffusées sont des matériaux essentiels dans la fabrication de semi-conducteurs, mais elles diffèrent considérablement par leurs processus de fabrication et leurs applications cibles. Cet article examine les principales distinctions entre ces types de plaquettes.
En savoir plusLe substrat en carbure de silicium est un matériau monocristallin semi-conducteur composé de deux éléments, le carbone et le silicium. Il présente les caractéristiques d'une large bande interdite, d'une conductivité thermique élevée, d'une intensité de champ de claquage critique élevée et d'un taux ......
En savoir plusAu sein de la chaîne industrielle du carbure de silicium (SiC), les fournisseurs de substrats détiennent un levier important, principalement en raison de la répartition de la valeur. Les substrats SiC représentent 47 % de la valeur totale, suivis par les couches épitaxiales à 23 %, tandis que la con......
En savoir plusLes MOSFET SiC sont des transistors qui offrent une densité de puissance élevée, un rendement amélioré et de faibles taux de défaillance à haute température. Ces avantages des MOSFET SiC apportent de nombreux avantages aux véhicules électriques (VE), notamment une autonomie plus longue, une charge p......
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