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Nouvelles

Processus plasma dans les opérations CVD

Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) fait référence à une technologie de processus dans laquelle plusieurs réactifs gazeux à des pressions partielles variées subissent une réaction chimique dans des conditions de température et de pression spécifiques. La substance solide résultante se dépose sur......

L’essor et les perspectives du marché des dispositifs électriques en carbure de silicium (SiC)

À mesure que l’acceptation mondiale des véhicules électriques augmente progressivement, le carbure de silicium (SiC) connaîtra de nouvelles opportunités de croissance au cours de la prochaine décennie. Il est prévu que les fabricants de semi-conducteurs de puissance et les opérateurs de l’industrie ......

Couches et substrats épitaxiaux de silicium dans la fabrication de semi-conducteurs

Dans les domaines de l’électronique moderne, de l’optoélectronique, de la microélectronique et des technologies de l’information, les substrats semi-conducteurs et les technologies épitaxiales sont indispensables. Ils constituent une base solide pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs ha......

Avantages du SiC dans l'industrie des véhicules électriques

En tant que matériau semi-conducteur à large bande interdite (WBG), la différence d'énergie plus large du SiC lui confère des propriétés thermiques et électroniques plus élevées que celles du Si traditionnel. Cette fonctionnalité permet aux appareils électriques de fonctionner à des températures, fr......

Contrôle du dopage dans la croissance du SiC par sublimation

Le carbure de silicium (SiC) joue un rôle important dans la fabrication de composants électroniques de puissance et de dispositifs haute fréquence en raison de ses excellentes propriétés électriques et thermiques. La qualité et le niveau de dopage des cristaux de SiC affectent directement les perfor......

L'importance des matériaux graphites poreux pour la croissance des cristaux de SiC

Le composant du four de croissance cristalline SiC de Semicorex, le baril de graphite poreux, apportera trois avantages majeurs et pourra renforcer efficacement la compétitivité des substrats SiC nationaux :

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