Le matériau du substrat SiC est le cœur de la puce SiC. Le processus de production du substrat est le suivant : après l'obtention du lingot de cristal de SiC par croissance monocristalline ; puis la préparation du substrat SiC nécessite un lissage, un arrondi, une découpe, un meulage (amincissement)......
En savoir plusLe carbure de silicium (SiC) est un matériau qui possède une stabilité thermique, physique et chimique exceptionnelle, présentant des propriétés qui vont au-delà de celles des matériaux conventionnels. Sa conductivité thermique est étonnante de 84 W/(m·K), ce qui est non seulement supérieur à celui ......
En savoir plusDans le domaine en évolution rapide de la fabrication de semi-conducteurs, même les plus petites améliorations peuvent faire une grande différence lorsqu'il s'agit d'obtenir des performances, une durabilité et une efficacité optimales. Une avancée qui suscite beaucoup de buzz dans l’industrie est l’......
En savoir plusL'industrie du carbure de silicium implique une chaîne de processus qui incluent la création de substrats, la croissance épitaxiale, la conception de dispositifs, la fabrication de dispositifs, l'emballage et les tests. En général, le carbure de silicium est créé sous forme de lingots, qui sont ensu......
En savoir plusLe carbure de silicium (SiC) a des applications importantes dans des domaines tels que l'électronique de puissance, les dispositifs RF haute fréquence et les capteurs pour environnements résistants aux hautes températures en raison de ses excellentes propriétés physicochimiques. Cependant, l'opérati......
En savoir plusPlusieurs matériaux sont actuellement à l’étude, parmi lesquels le carbure de silicium s’impose comme l’un des plus prometteurs. Semblable au GaN, il présente des tensions de fonctionnement plus élevées, des tensions de claquage plus élevées et une conductivité supérieure à celle du silicium. De plu......
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